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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-0043730 (2005-05-24) |
공개번호 | 10-2006-0121507 (2006-11-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050043730 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 디프테리아 톡소이드 백신의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디프테리아 균주(CORYNEBACTERIUM DIPHTHERIAE)의 배양조건을 최적화하여 디프테리아 톡신(DIPHTHERIA TOXIN)을 생산한 후 이를 황산암모늄 처리 및 이온교환 크로마토그래피를 이용하여 정제 및 무독화시킴으로써, 고순도의 디프테리아 톡신을 다량으로 간단히 생산한 후 정제할 수 있어, 안정성 및 면역성이 우수한 고순도의 디프테리아 톡소이드 백신을 대량으로 용이하게 얻을 수 있는 개선된 디프테리아 톡소이드 백신의 제조방법에 관한 것
디프테리아 톡소이드 백신의 제조방법에 있어서,디프테리아 균주(CORYNEBACTERIUM DIPHTHERIAE)를 배지에 분주하고 공기와 산소의 혼합물을 0.1 ∼ 1 VVM으로 발효조에 공급하여 발효조의 용존산소량이 10 ∼ 50 % 공기포화도를 유지하면서 24 ∼ 72 시간동안 배양하되, 배양 시작 후 10 ∼ 30 시간에 말토스를 1 ∼ 30 G/ℓ농도로 추가하면서 배양하여 디프테리아 톡신 배양액을 얻는 단계;상기 디프테리아 톡신 배양액을 원심분리한 상청액을 한외여과(ULTRAFILTRATION) 후 투석여과(DIAFILTRA
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