선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
출원번호 | 10-1999-0047481 (1999-10-29) |
공개번호 | 10-2001-0039187 (2001-05-15) |
등록번호 | 10-0344703-0000 (2002-07-02) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990047481 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (1999-10-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 고순도의 디프테리아 톡신 및 톡소이드의 대량 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 디프테리아의 배양조건 최적화를 통하여 고순도의 톡신을 대량으로 제조하고, 이러한 디프테리아 톡신을 이중여과 및 이온교환 크로마토그래피를 통하여 정제한 후 무독화하여 안정한 고순도의 톡소이드를 제조하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 방법은 안전성이 개선된 고순도의 디프테리아 백신의 제조에 유용하게 이용될 수 있다.
a) 질소원으로 카제인 효소분해 산물을 이용한 배지가 포함된 발효조에서 코리네박테리움 디프테리아를 배양하는 단계; b) 상기 배양액으로부터 디프테리아 톡신을 회수하는 단계를 포함하는 디프테리아 톡신의 제조방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.