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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-0055888 (2005-06-27) |
공개번호 | 10-2007-0000518 (2007-01-03) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050055888 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 공정이 단순화 된 딥 트렌치(DEEP TRENCH) 소자 분리 방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 의하면 반도체 기판의 제 1 영역에 비활성 영역을 형성하기 위한 열산화 마스크를 형성하는 단계, 상기 열산화 마스크 위에 상기 반도체 기판의 제 1 영역 내에 있는 제 2 영역을 노출시키는 식각 마스크를 형성하는 단계, 상기 식각 마스크에 의해 노출된 상기 제 2 영역의 반도체 기판을 식각하여 딥 트렌치 소자 분리 영역을 형성하는 단계, 상기 딥 트렌치 소자 분리 영역을 충진재로 충진하는 단계, 및 상기 충진재 상부를 포함하
⒜ 반도체 기판의 제 1 영역에 비활성 영역을 형성하기 위한 열산화 마스크를 형성하는 단계, ⒝ 상기 열산화 마스크 위에 상기 반도체 기판의 제 1 영역 내에 있는 제 2영역을 노출시키는 식각 마스크를 형성하는 단계, ⒞ 상기 식각 마스크에 의해 노출된 상기 제 2 영역의 반도체 기판을 식각하여 딥 트렌치 소자 분리 영역을 형성하는 단계, ⒟ 상기 딥 트렌치 소자 분리 영역을 충진재로 충진하는 단계, 및 ⒠ 상기 충진재 상부를 포함하는 상기 제 1 영역을 열산화 하여 비활성 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 딥
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