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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0068778 (2016-06-02) | |
공개번호 | 10-2016-0072078 (2016-06-22) | |
등록번호 | 10-1768377-0000 (2017-08-08) | |
우선권정보 | 미국(US) 14/016,949 (2013-09-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160068778 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-06-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
이미지-센서 디바이스를 형성하기 위한 매커니즘들의 실시예들이 제공된다.이미지-센서 디바이스는 전면 표면 및 배면 표면을 갖는 기판을 포함한다.이미지-센서 디바이스는 또한 배면 표면을 통해 기판에 진입하는 입사 방사선을 검출하도록 동작 가능한 방사선 감지 영역을 포함한다.이미지-센서 디바이스는 또한 기판 내에 그리고 방사선-감지 영역에 인접하게 형성되는 도핑된 격리 영역을 포함한다.또한, 이미지-센서 디바이스는 도핑된 격리 영역에 형성되는 딥-트렌치 격리 구조를 포함한다.딥-트렌치 격리 구조는 배면 표면으로부터 연장되는 트렌치 및 이
이미지-센서 디바이스로서,전면 표면(front surface) 및 배면 표면을 갖는 기판;상기 배면 표면을 통해 상기 기판에 진입하는 입사 방사선(incident radiation)을 검출하도록 동작 가능한 방사선-감지 영역;상기 방사선-감지 영역에 인접하고 상기 기판에 형성되는 도핑된 격리 영역 - 상기 도핑된 격리 영역과 상기 방사선-감지 영역은 상이한 도핑 극성들을 가짐 -; 및상기 도핑된 격리 영역에 형성되는 딥-트렌치 격리 구조(deep-trench isolation structure)를 포함하고,상기 딥-트렌치 격리 구조
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