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연합인증

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[한국특허] 시편 분석 방법
Sample analysis method 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/66
출원번호 10-2005-0131168 (2005-12-28)
등록번호 10-0686451-0000 (2007-02-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1020050131168
발명자 / 주소
  • 김동교 / 경기 부천시 원미구 중*동 *-***번지 ***호
출원인 / 주소
  • 동부일렉트로닉스 주식회사 / 서울 강남구 대치동 ***-**
대리인 / 주소
  • 허용록 (HAW, Yong Noke)
  • 서울 강남구 역삼동***-** 현죽빌딩 *층(선영특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2005-12-28)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명의 실시예에 따른 시편 분석 방법에는 시편을 분석하기 위한 FIB 챔버 내에 웨이퍼, FIB 주사부 및 GIS가 제공되고, 상기 FIB 주사부를 통해 분석 대상 영역에 이온 빔을 주사하는 단계; 및 상기 GIS를 이용하여, 상기 웨이퍼의 표면을 PT로 코팅시키는 단계;가 포함된다.제안되는 바와 같은 시편 분석 방법에 의해서, FIB 챔버 내에서 웨이퍼 표면의 코팅이 이루어지도록 함으로써, 분석부분의 보호 및 이미지 관찰을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

대표청구항

시편을 분석하기 위한 FIB(FOCUSED ION BEAM) 챔버 내에 웨이퍼, FIB(FOCUSED ION BEAM) 주사부 및 GIS(GAS INJECTION SYSTEM)가 제공되고,상기 FIB(FOCUSED ION BEAM) 주사부를 통해 분석 대상 영역에 이온 빔을 주사하는 단계; 및상기 GIS(GAS INJECTION SYSTEM)를 이용하여, 상기 웨이퍼의 표면을 백금(PT)으로 코팅시키는 단계;가 포함되는 시편 분석 방법.

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