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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0025852 (2006-03-21) |
공개번호 | 10-2007-0095567 (2007-10-01) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060025852 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명의 저압화학기상증착장치를 이용한 반도체 소자의 제조방법은, 반도체 소자 제조를 위해 외부 튜브, 외부 튜브 내측에 설치된 내부 튜브, 내부 튜브에 설치되어 웨이퍼들을 장착하는 보트 및 소스 가스 또는 반응 가스를 주입하는 인젝터를 포함하는 저압화학기상증착장치의 내부 튜브의 압력이 제1 압력 및 제2 압력이 반복되도록 압력을 조절하며 인젝터를 통해 소스 가스 또는 반응 가스를 공급하여 산화막을 증착하는 단계를 포함한다.
반도체 소자 제조를 위해 외부 튜브, 상기 외부 튜브 내측에 설치된 내부 튜브, 상기 내부 튜브에 설치되어 웨이퍼들을 장착하는 보트 및 소스 가스 또는 반응 가스를 주입하는 인젝터를 포함하는 저압화학기상증착장치의 상기 내부 튜브의 압력이 제1 압력 및 제2 압력이 반복되도록 압력을 조절하며 상기 인젝터를 통해 소스 가스 또는 반응 가스를 공급하여 산화막을 증착하는 단계를 포함하는 저압화학기상증착장치를 이용한 반도체 소자의 제조방법.
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