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오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H05B-033/22
  • H05B-033/10
출원번호 10-2006-0081926 (2006-08-28)
공개번호 10-2007-0050799 (2007-05-16)
DOI http://doi.org/10.8080/1020060081926
발명자 / 주소
  • 이태훈 / 서울시 강서구 화곡*동 ***-* 삼성메르디앙 나동 ***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 대우일렉트로닉스 / 서울특별시 중구 저동*가 *-* 나라키움 저동빌딩
대리인 / 주소
  • 특허법인아주 (AJU INTERANTIONAL LAW ＆ PATENT GROUP)
  • 서울 강남구 역삼*동*** 허바허바빌딩*층(특허법인 아주)
심사청구여부 있음 (2006-08-28)
심사진행상태 포기(등록료 미납)
법적상태 포기

초록

엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽을 형성함으로써 격벽이 안정적인 구조를 갖도록 한 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법이 제공된다. 본 발명에 의한 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법은, 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법에 있어서, 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계; 실리콘 질화막의 적어도 1구역 이상으로 구별되는 어닐링 영역에 서로 다른 세기로 엑시머 레이저 어닐링을 수행하는 단계; 및 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만 남도록 실리콘 질화막을 습식 식각하는 단계를 포함한다.

대표청구항

오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법에 있어서,기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계;상기 실리콘 질화막의 적어도 1구역 이상으로 구별되는 어닐링 영역에 서로 다른 세기로 엑시머 레이저 어닐링을 수행하는 단계; 및상기 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만 남도록 상기 실리콘 질화막을 습식 식각하는 단계를 포함하는 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법.

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