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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0131553 (2006-12-21) |
공개번호 | 10-2008-0057813 (2008-06-25) |
등록번호 | 10-0862163-0000 (2008-09-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060131553 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-12-21) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에서는 반도체 소자의 표면 분석 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 이차이온 질량 분석장치는 반도체 소자 표면에 주입되는 일차 이온을 제공하는 제1 일차이온 소오스 및 제2 일차이온 소오스; 상기 제1 일차이온 소오스 및 제2 일차이온 소오스로부터 공급되는 일차 이온을 상기 반도체 소자 표면에 주입시키는 일차 이온 컬럼; 상기 제1 일차이온 소오스 및 상기 제2 일차이온 소오스 중 어느 하나로부터 공급되는 일차 이온 만이 상기 일차 이온 주입부로 공급되도록 하는 밸브; 상기 반도체 소자 표면으로부터 발생되는 이차 이온에
반도체 소자 표면에 주입되는 일차 이온을 제공하는 제1 일차이온 소오스 및 제2 일차이온 소오스;상기 제1 일차이온 소오스 및 제2 일차이온 소오스로부터 공급되는 일차 이온을 상기 반도체 소자 표면에 주입시키는 일차 이온 컬럼;상기 제1 일차이온 소오스 및 상기 제2 일차이온 소오스 중 어느 하나로부터 공급되는 일차 이온 만이 상기 일차 이온 주입부로 공급되도록 하는 밸브;상기 반도체 소자 표면으로부터 발생되는 이차 이온에 자기장을 인가하는 자기장 발생부;상기 반도체 소자 표면으로부터 발생된 이차 이온을 상기 자기장 발생부로 전달하
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