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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2007-0090566 (2007-09-06) |
| 공개번호 | 10-2009-0025596 (2009-03-11) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020070090566 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
| 법적상태 | 취하 |
시편의 표면에 빔을 입사시켜 시편의 표면을 식각하는 시편 깍기용 건과, 시편의 표면에 일차 이온빔을 입사시켜 방출하는 이차 이온을 분석하는 표면 분석용 건을 포함하는 이차 이온 질량 분석기를 제공한다. 시편 깍기용 건은 산소 원자보다 전기음성도가 큰 원자의 빔을 입사시킬 수 있는 건으로 구성되거나, 세슘 원자보다 이온화에너지가 더 작은 원자의 빔을 입사시킬 수 있는 건으로 구성될 수 있다. 산소 원자보다 전기음성도가 큰 원자는 플루오르(F)로 구성할 수 있다. 세슘 원자보다 이온화 에너지가 더 작은 원자는 플랑슘(Fr)으로 구성할
시편의 표면에 빔을 입사시켜 상기 시편의 표면을 식각하는 시편 깍기용 건과, 상기 시편의 표면에 일차 이온빔을 입사시켜 방출하는 이차 이온을 분석하는 표면 분석용 건을 포함하는 이차 이온 질량 분석기에 있어서,상기 시편 깍기용 건은 산소 원자보다 전기음성도가 큰 원자의 빔을 입사시킬 수 있는 건으로 구성되거나, 세슘 원자보다 이온화에너지가 더 작은 원자의 빔을 입사시킬 수 있는 건으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이차 이온 질량 분석기.
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