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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0134037 (2006-12-26) |
등록번호 | 10-0779343-0000 (2007-11-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060134037 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-12-26) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
공정 기판의 층간 절연막에 콘택 플러그 형태의 하부 전극 플러그 부분을 형성하는 단계, 플러그 부분이 형성된 기판 전면에 금속막을 적층하고 금속막 위로 하부 전극 플러그 부분과 겹치는 하부 전극용 1차 포토레지스트 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계, 1차 포토레지스트 식각 마스크 패턴을 영역 확장 처리하여 상부가 위로 볼록한 곡면을 이루는 2차 포토레지스트 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계, 2차 포토레지스트 식각 마스크 패턴 및 상기 금속막에 대한 이방성 식각하여 2차 포토레지스트 식각 마스크 패턴의 상면이 이루는 곡면을 금속막에
공정 기판의 제1 층간 절연막에 하부 전극의 플러그 부분을 형성하는 단계,상기 플러그 부분이 형성된 기판 전면에 금속막을 적층하고 상기 금속막 위로 상기 플러그 부분과 겹치는 하부 전극용 1차 포토레지스트 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 1차 포토레지스트 식각 마스크 패턴을 영역 확장 및 변형 처리하여 상부가 위로 볼록한 곡면을 이루는 2차 포토레지스트 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계,상기 2차 포토레지스트 식각 마스크 패턴 및 상기 금속막에 대한 이방성 식각하여 상기 2차 포토레지스트 식각 마스크 패턴의 구형 곡면을 상
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