초록

본 발명에 따른 연마 조성물은 매우 낮은 공차로 정밀한 연마를 하는데 적합하다. 상기 연마 조성물은 직경 분포가 매우 좁고 작은 직경을 갖는 입자를 포함하고, 실제적으로 평균 직경보다 몇 배 이상의 직경을 갖는 입자는 없다. 또한, 상기 입자는 일반적으로 단결정상을 갖는다는 점에서 균일도가 매우 높다. 바람직한 입자는 약 200 NM이하의 직경을 갖는다. 레이저 열분해 가공은 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 황화물, SIO2 및 SIC를 포함하는 적합한 입자들을 제조한다.

대표청구항 ▼

규소 화합물 전구체와, 이 규소 화합물 전구체와는 별개인 산소 공급원, 그리고 방사선 흡수 가스를 포함하는 분자 스트림을 반응실에서 반응시키는 단계를 포함하고, 상기 반응은 방사선 빔으로부터 흡수된 열에 의해 일어나는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 방사선 빔은 CO2 레이저에 의해 공급되는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 분자 스트림은 한쪽 치수가 큰 노즐에 의해 발생되는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 방사선 빔은 레이저에 의해 공급되는 것인 SiO2 입자 제조 방

규소 화합물 전구체와, 이 규소 화합물 전구체와는 별개인 산소 공급원, 그리고 방사선 흡수 가스를 포함하는 분자 스트림을 반응실에서 반응시키는 단계를 포함하고, 상기 반응은 방사선 빔으로부터 흡수된 열에 의해 일어나는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 방사선 빔은 CO2 레이저에 의해 공급되는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 분자 스트림은 한쪽 치수가 큰 노즐에 의해 발생되는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 방사선 빔은 레이저에 의해 공급되는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 산소 공급원은 O2를 포함하는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 방사선 흡수 가스는 C2H4를 포함하는 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 SiO2 입자는 평균 직경이 500 nm 미만인 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 SiO2 입자는 평균 직경이 5 nm 내지 200 nm인 것인 SiO2 입자 제조 방법.제1항에 있어서, 상기 SiO2 입자는 95% 이상의 입자가 상기 평균 직경의 40% 내지 160%의 직경을 갖는 직경의 분포를 나타내는 것인 SiO2 입자 제조 방법.규소 화합물 전구체와, 산소 공급원, 그리고 방사선 흡수 가스를 포함하는 분자 스트림을 반응실에서 반응시키는 단계를 포함하는 SiO2 입자 제조 방법으로서, 상기 반응은 광선으로부터 흡수되는 열에 의해 일어나며, 상기 SiO2 입자는 평균 직경이 500 nm 미만인 것인 SiO2 입자 제조 방법.