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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0036519 (2019-03-29) | |
공개번호 | 10-2019-0114876 (2019-10-10) | |
등록번호 | 10-2173384-0000 (2020-10-28) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020180036949 (2018-03-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190036519 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-03-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 화학식 1로 표시되는 비스아미노실란 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO2 박막 형성용 전구체 및 이를 이용한 SiO2 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 2개의 표면 결합기가 기판의 표면에 화학 결합함으로써 결합 후 인접한 분자와의 입체 장애가 감소되어 막의 결함 발생이 적고 막 밀도를 증가시킬 수 있다.[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 C1-C6의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기 또는 알케닐기이고, R1 및 R2는 같거나 상이하다.
화학식 1로 표시되는 비스아미노실란 화합물을 포함하며 2개의 표면 결합기가 기판의 표면에 화학 결합하는 것을 특징으로 하는 SiO2 박막 형성용 전구체.[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 C1-C6의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기 또는 알케닐기이고, R1 및 R2는 같거나 상이하다.
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