최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-2006-7004614 (2006-03-06) |
공개번호 | 10-2006-0105738 (2006-10-11) |
등록번호 | 10-1107927-0000 (2012-01-12) |
국제출원번호 | PCT/JP2004/014772 (2004-09-30) |
국제공개번호 | WO2005033058 (2005-04-14) |
번역문제출일자 | 2006-03-06 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020067004614 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2009-07-16) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명의 고순도 테레프탈산의 제조 방법에서는 p-알킬벤젠을 아세트산 용매 중에서 액상 산화해 얻어진 조 테레프탈산 결정이 아세트산 용매에 분산된 슬러리를 연속적으로 물을 분산매로 한 슬러리로 모액 치환한 후, 접촉 수소화 처리를 수행한다.연직 방향으로 복수개의 교반 블레이드를 가지는 중심축이 배치된 탑의 상부로부터 상기 아세트산 용매 슬러리를 도입해, 테레프탈산 결정의 침강에 의해서 탑 내에 테레프탈산 결정의 고농도 대역을 형성한다.교반 블레이드의 회전에 의해 고농도 대역의 선회류를 일으킴으로써, 상기 탑의 저부로부터 탑 내에 물
p-알킬벤젠을 아세트산 용매 중에서 액상 산화하여 얻어진 조 (crude) 테레프탈산 결정이 아세트산 용매에 분산된 슬러리를, 연속적으로 물을 분산매로 한 슬러리로 모액 치환한 후 접촉 수소화 처리를 수행하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법으로, 상기 모액 치환을 연직 방향으로 복수개의 교반 블레이드를 가지는 중심축이 배치된 탑에, 상기 탑의 상부로부터 상기 아세트산 용매 슬러리를 도입하고; 테레프탈산 결정의 침강에 의해서 탑 내에 상기 테레프탈산 결정의 고농도 대역 (帶域) 을 형성하고; 상기 교반 블레이드의 회전에 의해서 상기 고
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.