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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2007-0059802 (2007-06-19) |
공개번호 | 10-2008-0111624 (2008-12-24) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070059802 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 플라즈마를 이용한 반도체 제조공정에서 공정 처리 후 챔버 내 식각 부산물을 효과적으로 제거하기 위한 플라즈마 식각장치 및 이를 이용한 챔버 세정방법에 관한 것이다.이를 위해 본 발명의 플라즈마 식각장치는, 플라즈마를 이용한 기판의 식각 공정이 이루어지는 챔버; 상기 챔버 내에 배치된 상부 및 하부 전극; 상기 상부 및 하부 전극에 고주파 전력을 동시에 인가하는 고주파 전원; 상기 상부 및 하부 전극에 동시에 인가되는 고주파 전력의 파워 비율을 조절하여 상기 챔버 내부의 세정을 위한 플라즈마 분포를 제어하는 제어부를 포함하
플라즈마를 이용한 기판의 식각 공정이 이루어지는 챔버;상기 챔버 내에 배치된 상부 및 하부 전극;상기 상부 및 하부 전극에 고주파 전력을 동시에 인가하는 고주파 전원;상기 상부 및 하부 전극에 동시에 인가되는 고주파 전력의 파워 비율을 조절하여 상기 챔버 내부의 세정을 위한 플라즈마 분포를 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 식각장치.
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