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연합인증

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[한국특허] 마스크 블랭크 및 마스크 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-001/48
  • G03F-001/50
출원번호 10-2007-0089789 (2007-09-05)
공개번호 10-2008-0025308 (2008-03-20)
등록번호 10-1399568-0000 (2014-05-20)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2006-00251813 (2006-09-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1020070089789
발명자 / 주소
  • 하지모토 마사히로 / 일본, 도쿄, 신주쿠-쿠, 나카-오치아이 *쵸메, *-*, 호야 가부시키가이샤내
  • 에노모토 토모유키 / 일본, 토야마, 토야마-시, 후추-마치, 사사쿠라, ***, 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 전자재료연구소내
  • 사카구치 타카히로 / 일본, 토야마, 토야마-시, 후추-마치, 사사쿠라, ***, 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 전자재료연구소내
  • 사카모토 리키마루 / 일본, 토야마, 토야마-시, 후추-마치, 사사쿠라, ***, 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 전자재료연구소내
  • 나가이 마사키 / 일본, 토쿄, 치요다-쿠, 칸다-니시키-쵸 *-쵸메, *-*, 닛산 가가쿠 고교 가부시키가이샤내
출원인 / 주소
  • 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 / 일본 도쿄도지요다구 간다니시키쵸 *쵸메 *반지*
  • 호야 가부시키가이샤 / 일본국 도쿄도 신쥬꾸구 나까오찌아이 *쵸메 *-*
대리인 / 주소
  • 특허법인씨엔에스
심사청구여부 있음 (2012-08-01)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록 ▼

[과제]전사용 마스크의 전사패턴 선폭의 설계 치수와 기판상에 형성된 전사패턴 선폭 치수와의 차이(실 치수 차)를 억제하고, Linearity를 10㎚ 이하로 억제하는 것이 가능한 마스크 블랭크 및 마스크를 제공한다. [해결 수단]기판상에 성막된 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과 이 박막의 상방에 성막된 화학 증폭형의 레지스트막을 구비하는 마스크 블랭크에 있어서, 상기 레지스트막의 화학 증폭 기능를 저해하는 물질이 레지스트막의 저부에서부터 레지스트막 내로 이동하는 것을 저지하는 보호막을, 상기 박막과 레지스트막과의 사이에 구비하고

대표청구항

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  1. [일본] MASK BLANK AND MASK | KOBAYASHI HIDEO
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