초록 ▼

본 발명은 정밀한 패턴을 형성할 수 있게 하기 위하여 3000Å 이하의 매우 낮은 두께를 가지는 화학 증폭형 포토레지스트가 식각마스크 역할을 할 수 있도록 건식식각비가 크고 차광막의 두께가 더욱 낮은 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제조 방법이다. 또한, 현재 각광받고 있는 화학 증폭형 레지스트에 발생되는 스컴(Scum)을 감소시키고 패턴 단면이 T-Top 형태로 형성되는 것을 개선할 수 있는 블랭크 마스크이다. 상기와 같은 효과를 얻기 위하여 본 발명의 블랭크 마스크 및 포토마스크는 종래의 크롬화합물 대신에 새로운 물질의 막을 사용

본 발명은 정밀한 패턴을 형성할 수 있게 하기 위하여 3000Å 이하의 매우 낮은 두께를 가지는 화학 증폭형 포토레지스트가 식각마스크 역할을 할 수 있도록 건식식각비가 크고 차광막의 두께가 더욱 낮은 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제조 방법이다. 또한, 현재 각광받고 있는 화학 증폭형 레지스트에 발생되는 스컴(Scum)을 감소시키고 패턴 단면이 T-Top 형태로 형성되는 것을 개선할 수 있는 블랭크 마스크이다. 상기와 같은 효과를 얻기 위하여 본 발명의 블랭크 마스크 및 포토마스크는 종래의 크롬화합물 대신에 새로운 물질의 막을 사용하여 차광막 또는 차광막과 반사방지막을 구성한다.

대표청구항 ▼

반도체 또는 평면 디스플레이 장치 제조용 블랭크 마스크에 있어서,상기 블랭크 마스크가 투명기판; 상기 투명기판 위에 차광막 또는 차광막과 반사방지막이 적층되고; 상기 차광막 또는 반사방지막 위에 코팅된 포토레지스트로 구성되며; 상기 차광막 또는 반사방지막이 루테늄(RU), 탄탈륨(TA), 코발트(CO), 텅스텐(W), 바나듐(V), 팔라듐(PD), 티타늄(TI), 니오븀(NB), 하프늄(HF), 플래티늄(PT), 로듐(RH), 니켈(NI), 지르코늄(ZR), 실리콘(SI), 셀렌(SE), 이트륨(Y)을 1종 이상 의 금속 원소를 포

반도체 또는 평면 디스플레이 장치 제조용 블랭크 마스크에 있어서,상기 블랭크 마스크가 투명기판; 상기 투명기판 위에 차광막 또는 차광막과 반사방지막이 적층되고; 상기 차광막 또는 반사방지막 위에 코팅된 포토레지스트로 구성되며; 상기 차광막 또는 반사방지막이 루테늄(RU), 탄탈륨(TA), 코발트(CO), 텅스텐(W), 바나듐(V), 팔라듐(PD), 티타늄(TI), 니오븀(NB), 하프늄(HF), 플래티늄(PT), 로듐(RH), 니켈(NI), 지르코늄(ZR), 실리콘(SI), 셀렌(SE), 이트륨(Y)을 1종 이상 의 금속 원소를 포함하며, 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 불소(F), 염소(CL) 중 하나 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.