초록 ▼

본 발명은 산화사마륨(Sm2O3) 및 산화이테르븀(Yb2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하며, 상기 산화물의 함량이 타겟의 중량 대비 0.5 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟을 제공한다. 또한 본 발명은 상기 산화인듐주석 타겟을 준비하는 단계, 상기 타겟을 DC 스퍼터링으로 상온 내지 170℃ 미만의 온도 하에서 증착하여 비정질인 투명 박막을 형성하는 단계, 상기 투명 박막을 약산으로 에칭하는 단계 및 상기 에칭된 투명 박막을 170 내지 250℃의 온도 하에서 열처리 하여

본 발명은 산화사마륨(Sm2O3) 및 산화이테르븀(Yb2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하며, 상기 산화물의 함량이 타겟의 중량 대비 0.5 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟을 제공한다. 또한 본 발명은 상기 산화인듐주석 타겟을 준비하는 단계, 상기 타겟을 DC 스퍼터링으로 상온 내지 170℃ 미만의 온도 하에서 증착하여 비정질인 투명 박막을 형성하는 단계, 상기 투명 박막을 약산으로 에칭하는 단계 및 상기 에칭된 투명 박막을 170 내지 250℃의 온도 하에서 열처리 하여 결정화하는 단계를 포함하는 산화인듐주석 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

산화사마륨(Sm2O3) 및 산화이테르븀(Yb2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하며, 상기 산화물의 함량이 타겟의 중량 대비 0.5 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟.제1항에 있어서,상기 산화인듐주석 타겟은 산화사마륨 및 산화이테르븀을 포함하며, [Sm]/([In]+[Sm])이 0.005 내지 0.18, [Yb]/([In]+[Yb])이 0.005 내지 0.18인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟.(단, 상기 [Sm]은 타겟의 단위 질량당 사마륨의 원자수, [Yb]은 타겟의

산화사마륨(Sm2O3) 및 산화이테르븀(Yb2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하며, 상기 산화물의 함량이 타겟의 중량 대비 0.5 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟.제1항에 있어서,상기 산화인듐주석 타겟은 산화사마륨 및 산화이테르븀을 포함하며, [Sm]/([In]+[Sm])이 0.005 내지 0.18, [Yb]/([In]+[Yb])이 0.005 내지 0.18인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟.(단, 상기 [Sm]은 타겟의 단위 질량당 사마륨의 원자수, [Yb]은 타겟의 단위 질량당 이테르븀의 원자수, [In]은 타겟의 단위 질량당 인듐의 원자수를 나타낸다.)제1항에 있어서,상기 산화인듐주석 타겟을 상온 내지 170℃ 미만의 온도 하에서 DC 스퍼터링으로 증착하여 형성된 투명 도전막이 비정질인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟.제1항에 있어서,상기 산화인듐주석 타겟의 밀도는 7.10 g/cc 내지 7.18 g/cc 인 것을 특징으로 하는 산화인듐주석 타겟.제1항의 산화인듐주석 타겟을 준비하는 단계;상기 타겟을 DC 스퍼터링으로 상온 내지 170℃ 미만의 온도 하에서 증착하여 비정질인 투명 박막을 형성하는 단계;상기 투명 박막을 약산으로 에칭하는 단계; 및상기 에칭된 투명 박막을 170 내지 250℃의 온도 하에서 열처리 하여 결정화하는 단계를 포함하는 산화인듐주석 투명 도전막의 제조 방법.