누마타 모토키
/ 일본 후쿠오카켕 기타큐슈시 야하타니시쿠 구로사키시로이시 *방*고 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 나이
다카하시 이사오
/ 일본 후쿠오카켕 기타큐슈시 야하타니시쿠 구로사키시로이시 *방*고 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 나이
출원인 / 주소
미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 미나또꾸 시바 *쵸메 **방 *고
대리인 / 주소
특허법인코리아나
(Koreana Patent Firm)
서울특별시 강남구 역삼동 ***-**
심사청구여부
있음 (2008-08-18)
심사진행상태
거절결정(일반)
법적상태
거절
초록▼
본 발명의 과제는 종래에 폐기한 배수 중의 파라톨루산을 선택적으로 회수하여 테레프탈산의 원료로서 이용하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법을 제공하는 것에 관련된다. 본 발명은 1 차 모액으로부터 파라톨루산을 회수하여 산화 반응 공정에 공급하는 파라톨루산 회수 공정이, 다음의 각 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법에 관련된다. (I) 벤조산의 파과 시간보다 파라톨루산의 파과 시간이 긴 흡착제가 충전되어 있는 흡착탑에, 피처리액으로서 1 차 모액 내지는 1 차 모액을 냉각시킨 것을 고액 분리하여
본 발명의 과제는 종래에 폐기한 배수 중의 파라톨루산을 선택적으로 회수하여 테레프탈산의 원료로서 이용하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법을 제공하는 것에 관련된다. 본 발명은 1 차 모액으로부터 파라톨루산을 회수하여 산화 반응 공정에 공급하는 파라톨루산 회수 공정이, 다음의 각 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법에 관련된다. (I) 벤조산의 파과 시간보다 파라톨루산의 파과 시간이 긴 흡착제가 충전되어 있는 흡착탑에, 피처리액으로서 1 차 모액 내지는 1 차 모액을 냉각시킨 것을 고액 분리하여 얻어지는 2 차 모액을 공급하고, 피처리액 중의 파라톨루산 및 벤조산을 흡착제에 흡착시키는 흡착 공정, (II) 벤조산의 파과 시간을 초과하는 임의의 시점에서, 흡착탑에 대한 피처리액의 공급을 정지시키는 공급 정지 공정, (III) 흡착탑에 탈리제를 공급하여 흡착되어 있는 파라톨루산을 탈리시키는 탈리 공정, (IV) 흡착탑으로부터 유출된 탈리제에 함유되어 있는 파라톨루산을 산화 반응 공정에 공급하는 순환 공정.
대표청구항▼
(A) 촉매가 존재하고 있는 아세트산 용액 중에서, 파라자일렌을 산화하여 테레프탈산을 생성시키는 산화 반응 공정, (B) 생성된 테레프탈산이 석출되어 있는 슬러리를 고액 분리하여 미정제 테레프탈산 결정을 취득하는 미정제 테레프탈산 결정 취득 공정, (C) 미정제 테레프탈산 결정을 물에 용해시켜 수용액으로 하고, 이것을 수소 첨가하는 수소 첨가 공정, (D) 수소 첨가한 수용액으로부터 테레프탈산을 정석시켜 고순도 테레프탈산 슬러리를 생성시키는 고순도 테레프탈산 정석 공정, (E) 고순도 테레프탈산 슬러리를 고액 분리하여 고순도 테레프
(A) 촉매가 존재하고 있는 아세트산 용액 중에서, 파라자일렌을 산화하여 테레프탈산을 생성시키는 산화 반응 공정, (B) 생성된 테레프탈산이 석출되어 있는 슬러리를 고액 분리하여 미정제 테레프탈산 결정을 취득하는 미정제 테레프탈산 결정 취득 공정, (C) 미정제 테레프탈산 결정을 물에 용해시켜 수용액으로 하고, 이것을 수소 첨가하는 수소 첨가 공정, (D) 수소 첨가한 수용액으로부터 테레프탈산을 정석시켜 고순도 테레프탈산 슬러리를 생성시키는 고순도 테레프탈산 정석 공정, (E) 고순도 테레프탈산 슬러리를 고액 분리하여 고순도 테레프탈산 결정 및 1 차 모액을 취득하는 고순도 테레프탈산 결정 취득 공정, (F) 1 차 모액으로부터 파라톨루산을 회수하여 산화 반응 공정에 공급하는 파라톨루산 회수 공정의 각 공정을 갖는 고순도 테레프탈산의 제조 방법으로서, 파라톨루산 회수 공정이 다음의 각 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.(I) 벤조산의 파과 시간 (BREAKTHROUGH TIME) 보다 파라톨루산의 파과 시간이 긴 흡착제가 충전되어 있는 흡착탑에, 피처리액으로서 1 차 모액 내지는 1 차 모액을 냉각시킨 것을 고액 분리하여 얻어지는 2 차 모액을 공급하고, 피처리액 중의 파라톨루산 및 벤조산을 흡착제에 흡착시키는 흡착 공정,(II) 벤조산의 파과 시간을 초과한 임의의 시점에서, 흡착탑에 대한 피처리액의 공급을 정지시키는 공급 정지 공정,(III) 흡착탑에 탈리제를 공급하여 흡착되어 있는 파라톨루산을 탈리시키는 탈리 공정,(IV) 흡착탑으로부터 유출된 탈리제에 함유되어 있는 파라톨루산을 산화 반응 공정에 공급하는 순환 공정.제 1 항에 있어서,추가로, 다음의 각 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.(G) 고순도 테레프탈산 결정을 물로 세정한 후, 건조시켜 고순도 테레프탈산제품을 얻는 고순도 테레프탈산 결정 세정 건조 공정,(H) 고순도 테레프탈산 결정 세정 건조 공정에 있어서의 세정 배수를, 수소 첨가 공정 (C) 에 있어서의 미정제 테레프탈산 결정을 용해하는 물로서 재이용하는 세정 배수 순환 공정.제 1 항에 있어서,추가로, 다음의 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.(I) 흡착 공정 (I) 에 있어서의 흡착탑으로부터의 유출액의 적어도 일부를, 수소 첨가 공정 (C) 에 있어서의 미정제 테레프탈산 결정을 용해하는 물로서 재이용하는 유출액의 순환 공정.제 2 항에 있어서,추가로, 다음의 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.(I) 흡착 공정 (I) 에 있어서의 흡착탑으로부터의 유출액의 적어도 일부를, 수소 첨가 공정 (C) 에 있어서의 미정제 테레프탈산 결정을 용해하는 물로서 재이용하는 유출액의 순환 공정.제 2 항에 있어서,추가로, 다음의 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.(II) 흡착 공정 (I) 에 있어서의 흡착탑으로부터의 유출액의 적어도 일부를, 고순도 테레프탈산 결정 세정 공정 (G) 에 있어서의 고순도 테레프탈산 결정을 세정하는 물로서 재이용하는 유출액의 순환 공정.제 3 항 및 제 4 항에 있어서,고순도 테레프탈산 결정 취득 공정 (E) 에 있어서의 1 차 모액 중의 벤조산의 농도가 3000PPM 이하가 되도록, 유출액의 순환 공정 (I) 에 있어서 재이용하는 유출액의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 5 항에 있어서,고순도 테레프탈산 결정 취득 공정 (E) 에 있어서의 1 차 모액 중의 벤조산의 농도가 3000PPM 이하가 되도록, 유출액의 순환 공정 (II) 에 있어서 재이용하는 유출액의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,고순도 테레프탈산 정석 공정 (D) 에 있어서의 테레프탈산의 정석을, 수용액으로부터 물을 증발시켜 수용액의 온도를 저하시킴으로써 실시하고, 또한 발생된 수증기를 응축시키고, 이 응축액을 피처리액으로서 흡착 공정 (I) 에 있어서의 흡착탑에 공급하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,공급 정지 공정 (II) 에 있어서의 흡착탑에 대한 피처리액의 공급 정지를, 흡착탑으로부터의 유출액 중의 벤조산의 농도가, 피처리액 중의 벤조산 농도의 적어도 50% 에 도달한 시점에서 실시하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,공급 정지 공정 (II) 에 있어서의 흡착탑에 대한 피처리액의 공급 정지를, 흡착탑으로부터의 유출액 중의 벤조산의 농도가 피처리액 중의 벤조산의 농도와 동등해진 시점 이후에 실시하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,공급 정지 공정 (II) 에 있어서의 흡착탑에 대한 피처리액의 공급 정지를, 흡착탑으로부터의 유출액 중의 파라톨루산의 농도가, 피처리액 중의 파라톨루산의 농도의 50% 에 도달하기 전에 실시하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,공급 정지 공정 (II) 에 있어서의 흡착탑에 대한 피처리액의 공급 정지를, 흡착탑으로부터의 유출액 중의 파라톨루산의 농도가, 피처리액 중의 파라톨루산의 농도의 20% 에 도달하기 전에 실시하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,흡착 공정 (I) 에 있어서, 벤조산의 파과 시간보다 파라톨루산의 파과 시간이 긴 흡착제가 충전되어 있는 흡착탑이 복수개 병설되어 있고, 각 흡착탑은 흡착 - 탈리 - 재생을 반복하도록 구성되어 있는 제 1 흡착탑에, 피처리액으로서 1 차 모액 내지는 1 차 모액을 냉각시킨 것을 고액 분리하여 얻어지는 2 차 모액을 공급하고, 피처리액 중의 파라톨루산 및 벤조산을 흡착제에 흡착시키고, 공급 정지 공정 (II) 에 있어서, 제 1 흡착탑으로부터의 유출액 중의 파라톨루산이 소정 농도에 도달하면 제 1 흡수탑에 대한 피처리액의 공급을 정지시키고, 피처리액의 공급처를 제 1 흡착탑에서 제 2 흡착탑으로 전환하고, 탈리 공정 (III) 에 있어서, 제 1 흡착탑에 탈리제를 공급하여 흡착되어 있는 파라톨루산을 탈리시키고, 순환 공정 (IV) 에 있어서, 제 1 흡착탑으로부터 유출된 탈리제에 함유되어 있는 파라톨루산을 산화 반응 공정에 공급하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 13 항에 있어서,추가로, 탈리 공정 (III) 을 거친 제 1 흡착탑에 물을 공급하여 흡착되어 있는 탈리제를 용출시켜, 흡착 공정 (I) 에 있어서의 흡착탑으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,탈리제가 아세트산, 아세트산 메틸 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,흡착제가 모노비닐 화합물과 폴리비닐 화합물의 다공질 공중합체인 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,흡착제가 스티렌 및 디비닐벤젠을 주성분으로 하는 다공질 공중합체인 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,탈리 공정 (III) 을 종료한 흡착탑에 물 또는 2 차 모액을 공급하여 흡착되어 있는 탈리제를 탈리시키는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 1 항에 있어서,흡착 공정 (III) 에 있어서의 흡착탑이 복수의 흡착탑을 직렬로 배치한 것으로, 직렬로 배치된 흡착탑의 제 1 탑에 공급 정지 공정 (II) 의 조건을 적용하고, 제 1 탑에 대한 공급 정지 후, 직렬로 배치된 흡착탑의 제 2 탑에 피처리액을 공급하여, 제 2 탑을 제 1 탑으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.제 13 항에 있어서,제 1 흡착탑의 유출액은 유출액 중에 파라톨루산이 유출되지 않는 동안에는 흡착 프로세스계 외로 배출되는 것을 특징으로 하는 고순도 테레프탈산의 제조 방법.
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