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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0005302 (2008-01-17) |
공개번호 | 10-2008-0073209 (2008-08-08) |
등록번호 | 10-0964265-0000 (2010-06-09) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080005302 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-01-17) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 하전입자나 플라즈마 유체의 운동을 계산하지 않고, 플라즈마를 봉입하는 자장 구조만으로부터 타겟의 이로젼(erosion) 분포와 웨이퍼의 성막 분포를 단시간에 계산하여 예측 가능하게 한다. 타겟(70)의 이면측에 배치된 회전하는 자석(68)에 의해 타겟의 표면측에 자장을 형성하여 플라즈마(73)를 가두고, 플라즈마(73)로부터 발생하는 이온 원자를 고속으로 타겟에 충돌시킴으로써 스퍼터링을 일으켜 웨이퍼(74) 상에 성막(76)을 형성하는 마그네트론스퍼터의 설계를 지원한다. 정자장 구조 모델(78)을 판독하여 임의의 위치에
성막 재료인 타겟의 이면측에 배치된 회전하는 자석에 의해 상기 타겟의 표면측에 자장을 형성하여 플라즈마를 가두고, 상기 플라즈마로부터 발생하는 이온 원자를 고속으로 상기 타겟에 충돌시킴으로써 스퍼터링을 일으켜 웨이퍼의 대상물 상에 박막을 형성하는 마그네트론스퍼터의 설계 지원 방법에 있어서, 상기 자석의 정지 상태에서 생성되는 정자장 구조 모델을 판독하여 기억부에 저장하는 정자장 구조 모델 판독 단계와, 상기 정자장 구조 모델의 임의의 위치에 상기 타겟 표면과 평행하게 플라즈마가 생성되는 단면을 지정하는 단면 지정 단계와, 상기 정자
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