초록 ▼

본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계; b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및 c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함한다. 본 발명의 탄소나

본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계; b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및 c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함한다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법에 의하면, 트랜지스터 소자 내에서 채널로 이용되며, 금속성과 반도체성이 혼재되어 있는 탄소나노튜브에서 금속성 부분을 선택적으로 제거할 수 있다.

대표청구항 ▼

소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계;b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법. 제1항에

소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계;b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법. 제1항에 있어서, 상기 단계 c)에서 상기 스트레스 전압 인가 전 또는 동시에, 상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하여 상기 탄소나노튜브 채널 중 반도체성 부분 내의 캐리어를 고갈시키는 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제1항에 있어서, d) 상기 탄소나노튜브 트랜지스터에 대하여 턴온 전류 및 턴오프 전류를 측정하고, 그로부터 턴온 전류와 턴오프 전류의 비율을 계산하는 단계; 및e) 상기 턴온 전류와 턴오프 전류의 비율을 레퍼런스 값과 비교하여 상기 탄소나노튜브 트랜지스터에 대한 성능을 평가하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제3항에 있어서, f) 상기 턴온 전류와 턴오프 전류의 비율이 상기 레퍼런스 값 미만인 경우, 상기 스트레스 전압 인가 조건을 변경한 후, 상기 단계 c)를 다시 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제1항에 있어서, g) 상기 탄소나노튜브 트랜지스터에 대하여 상기 게이트 전압 변화에 따른 드레인 전류 변화량을 측정하여 계산하는 단계; h) 상기 게이트 전압 변화에 따른 드레인 전류 변화량을 레퍼런스 값과 비교하여 상기 탄소나노튜브 트랜지스터에 대한 성능을 평가하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제5항에 있어서, i) 상기 게이트 전압 변화에 따른 드레인 전류 변화량이 상기 레퍼런스 값 미만인 경우, 상기 스트레스 전압 인가 조건을 변경한 후, 상기 단계 c)를 다시 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 스트레스 전압 인가 조건 변경은 상기 스트레스 전압 인가 시간 변경 또는 상기 스트레스 전압 값 변경인 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제7항에 있어서, 상기 스트레스 전압 인가 시간 변경 횟수는 소정 횟수로 제한하고, 상기 소정 횟수를 초과하는 경우, 상기 스트레스 전압을 변경하는 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 전극이 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 채널을 액체에 노출시킨 후, 상기 액체에 금속 전극을 접촉시키거나, 삽입시켜 액상 게이트 전극을 형성하여 이용하는 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제10항에 있어서, 상기 액체가 초순수와 같이 이온 농도가 낮은 액체인 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.제11 항에 있어서, 상기 게이트 전압의 절대 값이 1V 이하인 것을 특징으로 하는 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법.소스 전극;드레인 전극; 및상기 소스 전극와 상기 드레인 전극을 연결하는 탄소나노튜브 채널;을 포함하되, 상기 탄소나노튜브 채널의 형성시, 반도체성 부분과 혼재되어 있었던 금속성 부분의 탄소나노튜브가 열적으로 절단되어 금속성을 상실한 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.