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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0138693 (2008-12-31) | |
공개번호 | 10-2010-0080072 (2010-07-08) | |
등록번호 | 10-1279968-0000 (2013-06-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080138693 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-04-07) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 기판 표면의 평탄화 공정, 층간 절연막의 평탄화 공정 및 STI(shallow trench isolation) 공정 등에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 산화세륨 및 함질소 고분자 분산제를 포함하는 산화세륨 분산액; 및 유기산을 포함하는 첨가액를 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면, 저농도의 산화세륨으로도 높은 연마속도 및 고선택비를 나타내는 CMP 슬러리 조성
a) 산화세륨 분말 및 함질소 폴리머 분산제를 포함하고 pH가 3 내지 5인 산화세륨 분산액; b) 분자량이 500 이하인 유기산을 포함하는 첨가액; 및c) pH 조절제;를 포함하고,상기 함질소 폴리머 분산제는 산화세륨 분말 중량 대비 0.1 내지 20 중량%로 포함되고, 폴리(1-비닐피롤리돈-co-2-디메틸 아미노에틸 메타크릴레이트, 폴리(1-비닐피롤리돈-코-2-비닐 아세테이트) 및 폴리(1-비닐피롤리돈)-그래프트-(1-헥사디센)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 폴리비닐 피롤리돈의 공중합체 또는 분자량이 1,000 내지 500,00
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