초록 ▼

본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 기판 표면의 평탄화 공정, 층간 절연막의 평탄화 공정 및 STI(shallow trench isolation) 공정 등에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 산화세륨 및 함질소 고분자 분산제를 포함하는 산화세륨 분산액; 및 유기산을 포함하는 첨가액를 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면, 저농도의 산화세륨으로도 높은 연마속도 및 고선택비를 나타내는 CMP 슬러리 조성

본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 기판 표면의 평탄화 공정, 층간 절연막의 평탄화 공정 및 STI(shallow trench isolation) 공정 등에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 산화세륨 및 함질소 고분자 분산제를 포함하는 산화세륨 분산액; 및 유기산을 포함하는 첨가액를 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면, 저농도의 산화세륨으로도 높은 연마속도 및 고선택비를 나타내는 CMP 슬러리 조성물이 제공된다.

대표청구항 ▼

a) 산화세륨 분말 및 함질소 폴리머 분산제를 포함하고 pH가 3 내지 5인 산화세륨 분산액; b) 분자량이 500 이하인 유기산을 포함하는 첨가액; 및c) pH 조절제;를 포함하고,상기 함질소 폴리머 분산제는 산화세륨 분말 중량 대비 0.1 내지 20 중량%로 포함되고, 폴리(1-비닐피롤리돈-co-2-디메틸 아미노에틸 메타크릴레이트, 폴리(1-비닐피롤리돈-코-2-비닐 아세테이트) 및 폴리(1-비닐피롤리돈)-그래프트-(1-헥사디센)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 폴리비닐 피롤리돈의 공중합체 또는 분자량이 1,000 내지 500,00

a) 산화세륨 분말 및 함질소 폴리머 분산제를 포함하고 pH가 3 내지 5인 산화세륨 분산액; b) 분자량이 500 이하인 유기산을 포함하는 첨가액; 및c) pH 조절제;를 포함하고,상기 함질소 폴리머 분산제는 산화세륨 분말 중량 대비 0.1 내지 20 중량%로 포함되고, 폴리(1-비닐피롤리돈-co-2-디메틸 아미노에틸 메타크릴레이트, 폴리(1-비닐피롤리돈-코-2-비닐 아세테이트) 및 폴리(1-비닐피롤리돈)-그래프트-(1-헥사디센)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 폴리비닐 피롤리돈의 공중합체 또는 분자량이 1,000 내지 500,000의 분자량을 갖는 폴리비닐 피롤리돈(PVP)이며,상기 유기산은 피콜린 산(picolinic acid), 니코틴 산(nicotinic acid), 이소니코틴 산(isonicotinic acid), 퓨자릭 산(fusaric acid), 디니코틴 산(dinicotinic acid), 디피코니릭 산(dipiconilic acid), 루티디닉 산(lutidinic acid), 퀴노릭 산(quinolic acid), 글루탐산(glutamic acid)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.