나카하라 겐
/ 일본 교토후 교토시 우쿄쿠 사이인 미조사키쵸 **반치 로무가부시키가이샤 내
출원인 / 주소
로무 가부시키가이샤 / 일본 교토후 교토시 우교구 사이잉 미조사키죠 **
대리인 / 주소
김창세
(KIM, Chang Se)
서울 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소)
심사진행상태
취하(심사미청구)
법적상태
취하
초록▼
AlGaN 반도체층과 GaN계 반도체층의 계면에 발생하는 자발 분극이나 피에조 분극에 의한 캐리어 공핍화를 저감시켜, 구동 전압을 안정시킬 수 있는 질화 갈륨 반도체 발광 소자를 제공한다.사파이어 기판(1)의 R면상에, 발광 영역을 포함하는 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 형성되어 있다. 또한, 다른 구성에서는, GaN 기판(3, 4)의 A면 또는 M면에 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 형성된다. 이들 질화 갈륨 반도체 결정(2)은, 그 성장 표면이 N(질소) 극성면이나 Ga 극성면이 아니라, 무극성면이 되므로, p측의 GaN/Al
AlGaN 반도체층과 GaN계 반도체층의 계면에 발생하는 자발 분극이나 피에조 분극에 의한 캐리어 공핍화를 저감시켜, 구동 전압을 안정시킬 수 있는 질화 갈륨 반도체 발광 소자를 제공한다.사파이어 기판(1)의 R면상에, 발광 영역을 포함하는 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 형성되어 있다. 또한, 다른 구성에서는, GaN 기판(3, 4)의 A면 또는 M면에 질화 갈륨 반도체 결정(2)이 형성된다. 이들 질화 갈륨 반도체 결정(2)은, 그 성장 표면이 N(질소) 극성면이나 Ga 극성면이 아니라, 무극성면이 되므로, p측의 GaN/AlGaN의 계면에서 발생하는 자발 분극이나 피에조 분극에 의한 전계의 크기를 작게 할 수 있어, 캐리어 공핍화를 회피할 수 있다.
대표청구항▼
기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlGaN 반도체층과, 그 AlGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 GaN 반도체층의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서,상기 n형 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자.기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대
기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlGaN 반도체층과, 그 AlGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 GaN 반도체층의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서,상기 n형 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자.기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlGaN 반도체층과, 그 AlGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 InGaN 반도체층의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서,상기 n형 반도체층으로부터 AlGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소 극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자.기판상에 적어도 n형 반도체층, 발광 영역, p형 반도체층을 순서대로 구비하고, 상기 p형 반도체층측에 형성됨과 아울러 1019㎝-3 이하의 Mg를 포함하는 AlXGaN 반도체층과 그 p형 AlXGaN 반도체층보다 n측에 위치하는 AlYGaN 반도체층(X>Y)의 계면을 갖는 질화 갈륨 반도체 발광 소자로서,상기 n형 반도체층으로부터 AlXGaN 반도체층까지는, 성장 표면이 GaN의 질소극성도 Ga 극성도 아닌 무극성 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 반도체 발광 소자.
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