초록 ▼

피처리물의 대략 전체 길이에 걸쳐서 균일한 막 두께 분포를 얻을 수 있는 동시에, 타겟 재료 수율의 향상과 타겟의 제조 비용의 저감을 도모할 수 있는 아크 이온 플레이팅 방법과 그 타겟을 제공하는 것을 목적으로 한다.그로 인해, 진공 챔버(1) 내에 적어도 길이 방향 양단부(31, 32)와 그 이외의 중앙부(33)로 분할 가능한 타겟(3)이 피처리물과 함께 배치된다.피막 형성 시에는 길이 방향 양단부(31, 32)의 소모 속도를 중앙부(33)의 소모 속도보다도 높게 하도록 타겟 표면의 아크 스폿 위치가 제어되고, 타겟(3)의 중앙부

피처리물의 대략 전체 길이에 걸쳐서 균일한 막 두께 분포를 얻을 수 있는 동시에, 타겟 재료 수율의 향상과 타겟의 제조 비용의 저감을 도모할 수 있는 아크 이온 플레이팅 방법과 그 타겟을 제공하는 것을 목적으로 한다.그로 인해, 진공 챔버(1) 내에 적어도 길이 방향 양단부(31, 32)와 그 이외의 중앙부(33)로 분할 가능한 타겟(3)이 피처리물과 함께 배치된다.피막 형성 시에는 길이 방향 양단부(31, 32)의 소모 속도를 중앙부(33)의 소모 속도보다도 높게 하도록 타겟 표면의 아크 스폿 위치가 제어되고, 타겟(3)의 중앙부(33)가 소모 한계에 도달할 때까지는 길이 방향 양단부(31, 32)의 적어도 한쪽이 소모 한계에 도달한 시점에서 그 단부만을 교환하여 피막 형성이 계속된다.

대표청구항 ▼

타겟을 사용하여 피처리물의 표면에 피막을 형성하기 위한 아크 이온 플레이팅 방법이며,진공 챔버 내에, 적어도 길이 방향 양단부와 그 이외의 중앙부로 분할 가능한 타겟과 피처리물을 배치하는 배치 공정과,상기 타겟을 음극으로 하는 진공 아크 방전에 의해 이 타겟을 구성하는 물질을 증발시키는 동시에 이온화하고, 이 이온화에 의해 발생한 타겟 물질 이온을 상기 피처리물로 유도함으로써 피막 형성을 행하는 피막 형성 공정을 포함하고,상기 배치 공정에서는, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면 형상 치수가 타겟 전체 길이에 걸쳐 동일한 타겟을 배치

타겟을 사용하여 피처리물의 표면에 피막을 형성하기 위한 아크 이온 플레이팅 방법이며,진공 챔버 내에, 적어도 길이 방향 양단부와 그 이외의 중앙부로 분할 가능한 타겟과 피처리물을 배치하는 배치 공정과,상기 타겟을 음극으로 하는 진공 아크 방전에 의해 이 타겟을 구성하는 물질을 증발시키는 동시에 이온화하고, 이 이온화에 의해 발생한 타겟 물질 이온을 상기 피처리물로 유도함으로써 피막 형성을 행하는 피막 형성 공정을 포함하고,상기 배치 공정에서는, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면 형상 치수가 타겟 전체 길이에 걸쳐 동일한 타겟을 배치하고,상기 피막 형성 공정에서는, 상기 길이 방향 양단부의 소모 속도가 상기 중앙부의 소모 속도보다도 높아지도록 상기 타겟의 표면의 아크 스폿 위치의 제어를 하고, 또한 상기 타겟의 적어도 중앙부가 소모 한계에 도달할 때까지는 상기 길이 방향 양단부의 적어도 한쪽이 소모 한계에 도달한 시점에서 그 단부만을 교환하여 계속해서 피막 형성을 행하고, 상기 타겟 중 그 중앙부를 남기고 길이 방향 양단부만을 교환할 때에, 당해 길이 방향 양단부로서, 당해 길이 방향 양단부와 상기 중앙부의 각 연결 위치에 있어서의 당해 길이 방향 양단부의 직경과 당해 중앙부와의 직경을 동일하게 하고 또한 상기 연결 위치로부터 이격될수록 직경이 커지는 테이퍼부가 형성된 것을 상기 중앙부에 연결하는 아크 이온 플레이팅 방법.