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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2009-0000907 (2009-01-06) |
| 공개번호 | 10-2010-0081603 (2010-07-15) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020090000907 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
| 법적상태 | 취하 |
추가적인 레지스트 패턴 형성공정 없이 CD MTT와 CD 균일도를 보정할 수 있는 포토마스크의 선폭 보정방법은, 기판 상에 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계와, 광차단막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 레지스트 패턴을 마스크로 광차단막을 1차 식각하여 광차단막 패턴을 형성하는 단계와, 광차단막 패턴의 선폭을 측정하는 단계와, 측정된 선폭과 타겟 선폭을 비교하여 선폭 보정 영역을 설정하는 단계와, 선폭 보정 영역의 레지스트 패턴에 극저온 에어로졸 세정(cryogenic aerosol clean)을 실시하여 레지스트 패턴을
기판 상에 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계;상기 광차단막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 레지스트 패턴을 마스크로 상기 광차단막을 1차 식각하여 광차단막 패턴을 형성하는 단계;상기 광차단막 패턴의 선폭을 측정하는 단계;측정된 선폭과 타겟 선폭을 비교하여 선폭 보정 영역을 설정하는 단계;선폭 보정 영역의 상기 레지스트 패턴에 극저온 에어로졸 세정(cryogenic aerosol clean)을 실시하여 상기 레지스트 패턴을 선택적으로 제거하는 단계;잔류하는 레지스트 패턴을 마스크로 상기 광차단막 패턴을 2차 식각하는 단
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