초록 ▼

반도체 처리 장치와 상기 반도체 처리 장치에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 처리 시스템은 기화실 내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정 기구의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.제어부는 압력 검출부의 압력 검출값을 기초로 하여 기화실 내의 압력이 소정의 압력 범위 내에 들어가도록 미리 설정된다.소정의 압력 범위는 압력의 상승에 의해 액체 원료의 기화가 저해되는 제1 한계값보다 낮게 설정된 상한값과, 압력의 하강에 의해 액체 원료의 기화가 불안정해져 기화실 내의 압력이 맥동을 억제하는 제2 한계값보다 높게 설정

반도체 처리 장치와 상기 반도체 처리 장치에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 처리 시스템은 기화실 내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정 기구의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.제어부는 압력 검출부의 압력 검출값을 기초로 하여 기화실 내의 압력이 소정의 압력 범위 내에 들어가도록 미리 설정된다.소정의 압력 범위는 압력의 상승에 의해 액체 원료의 기화가 저해되는 제1 한계값보다 낮게 설정된 상한값과, 압력의 하강에 의해 액체 원료의 기화가 불안정해져 기화실 내의 압력이 맥동을 억제하는 제2 한계값보다 높게 설정된 하한값에 의해 규정된다.

대표청구항 ▼

반도체 처리 장치와 상기 반도체 처리 장치에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 처리 시스템이며,상기 반도체 처리 장치는,피처리 기판을 수납하는 처리실과,상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리실 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,상기 처리실 내를 배기하는 배기계를 구비하고,상기 가스 공급 장치는,액체 원료를 기화하기 위한 기화실을 형성하는 용기와,상기 액체 원료를 캐리어 가스에 의해 안개화하여 상기 기화실 내에 공급하는 노즐과,상기 액체 원료를 상기 노즐에 공급하는 액체 원

반도체 처리 장치와 상기 반도체 처리 장치에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 처리 시스템이며,상기 반도체 처리 장치는,피처리 기판을 수납하는 처리실과,상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재와,상기 처리실 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터와,상기 처리실 내를 배기하는 배기계를 구비하고,상기 가스 공급 장치는,액체 원료를 기화하기 위한 기화실을 형성하는 용기와,상기 액체 원료를 캐리어 가스에 의해 안개화하여 상기 기화실 내에 공급하는 노즐과,상기 액체 원료를 상기 노즐에 공급하는 액체 원료 공급로와,상기 캐리어 가스를 상기 노즐에 공급하는 캐리어 가스 공급로와,상기 안개화된 액체 원료를 기화하여 상기 처리 가스를 생성하기 위해 상기 기화실 내를 가열하는 히터와,상기 처리 가스를 상기 기화실 내로부터 상기 처리실에 공급하기 위한 기체 공급로와,상기 기화실 내의 압력을 검출하기 위한 압력 검출부와,상기 기화실 내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정 기구와,상기 압력 조정 기구의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는 상기 압력 검출부의 압력 검출값을 기초로 하여 상기 기화실 내의 압력이 소정의 압력 범위 내에 들어가도록 상기 압력 조정 기구의 동작을 제어하도록 미리 설정되고, 상기 소정의 압력 범위는 상기 압력의 상승에 의해 상기 액체 원료의 기화가 저해되는 제1 한계값보다 낮게 설정된 상한값과, 상기 압력의 하강에 의해 상기 액체 원료의 기화가 불안정해져 상기 기화실 내의 압력이 맥동을 개시하는 제2 한계값보다 높게 설정된 하한값에 의해 규정되는 반도체 처리 시스템.