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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개실용신안 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 20-1999-0003750 (1999-03-10) |
공개번호 | 20-2000-0017994 (2000-10-05) |
DOI | http://doi.org/10.8080/2019990003750 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 고안은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 장비에 구비된 TEOS 가스 배달라인의 대부분을 가열하는 장치에 관한 것이다. 종래의 기술에 있어서는 TEOS 가스 배달라인이 길게 설치되어 있음에도 불구하고 액화 상태의 TEOS 가스를 가스 혼합부(22) 직전에만 가열시켜서 기화시키기 때문에, 이 액화 상태의 TEOS 가스의 기화가 불안정하게 이루어져 이후의 챔버내에서 웨이퍼에 산화막을 입히는 공정이 불안정하게 이루어진다. 또한, 챔버내에서 웨이퍼에 특정 증착 공정시 균일한 증착 두께 형성이 어
유량 제어부, TEOS 가스 인젝터, 및 가스 혼합부를 차례로 각각 연결시키는 각각의 TEOS 가스 배달라인을 구비하는 화학기상증착 장비에 있어서:상기 각각의 TEOS 가스 배달라인을 각각 가열하여 상기 유량 제어부로부터 공급되는 액화 상태의 TEOS 가스를 상기 유량 제어부의 후단부터 기화시키는 각각의 가열부를 포함하는 화학기상증착 장비의 TEOS 가스 배달라인 가열장치.
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