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연합인증

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[한국특허] 웨이퍼 결함 분석장치 및 이에 이용되는 이온추출장치와 이를 이용한 웨이퍼 결함 분석방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/66
출원번호 10-2009-0012853 (2009-02-17)
등록번호 10-0928666-0000 (2009-11-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1020090012853
발명자 / 주소
  • 한호 / 경기도 안산시 이동 ***-**
  • 이무상 / 경기 안산시 상록구 사동 **** 대우푸르지오 *차 ***동 ***호
  • 허태열 / 경기도 용인시 수지구 풍덕천*동 삼성*차아파트 ***동 ****호
출원인 / 주소
  • 주식회사 한스머신 / 경기 시흥시 정왕*동 ****-** 시화공단 *나 ***
  • 한호 / 경기도 안산시 이동 ***-**
대리인 / 주소
  • 허동진 (DONG-JHIN, HUR)
  • 서울 서초구 서초*동 ****-** 쓰리엠하우스 빌딩*층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2009-02-19)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 웨이퍼 표면의 결함 분석을 위한 웨이퍼 결함 부위의 이온 데코레이션을 함에 있어서 데코레이션 작업과 이온 추출 작업을 별도로 분리하고 이온 추출이 완료된 전해액이 순환되도록 하여 데코레이션 작업 시 번거롭고 긴 시간이 소요되는 과정을 최소화시켜 전체 데코레이션에 소요되는 시간을 획기적으로 단축시켜 종국적으로 웨이퍼 결함 분석 시간의 단축과 결함 분석의 효율성을 향상시키도록 하는 웨이퍼 결함 분석장치 및 이에 이용되는 이온추출장치와 이를 이용한 웨이퍼 결함 분석방법을 제공한다.또한, 데코레이션 작업을 위한 이온 추출 시 이

대표청구항

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  1. [한국] 기판도금장치 | 혼고아키히사, 오구레나오아키, 우에야마히로유키, 야마가와준이츠, 나가이미즈키, 스즈키겐이치, 조노아츠시, 센다이사토시, 미시마고지
  2. [일본] EVALUATION METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS APPARATUS | KOBAYASHI TAKESHI
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