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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-0014554 (2009-02-20) |
공개번호 | 10-2010-0095325 (2010-08-30) |
등록번호 | 10-1096595-0000 (2011-12-14) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090014554 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-06-25) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 제조 공정의 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 장치에 있어서 웨이퍼를 평탄화하기 위하여 사용되어지는 CMP Head 의 구조에 대한 것으로, 본체부(Body)와; 본체부의 상단에 개구되어 설치되고, 진공 또는 에어 홀이 연결되어 외부에서 공기를 인입하기 위한 매니폴더(manifold) 부재(15)와;상기 매니폴더 부재(15)에 흡입되는 공기(air or vacuum)의 세기에 따라 높이를 조절하는 승하강 스트로크 조절장치(Up/Down Stroke Adjuster)(50)와; 상기 매니
반도체용 웨이퍼를 평탄하게 연마하기 위한 화학적 기계적 연마(CMP) 헤드 장치에 있어서, 본체부(Body)와; 본체부의 상단에 개구되어 설치되고, 진공 또는 에어 홀이 연결되어 외부에서 공기를 인입하기 위한 매니폴더(manifold) 부재(15)와; 상기 매니폴더 부재(15)에 흡입되는 공기(air or vacuum)의 세기에 따라 높이를 조절하는 승하강 스트로크 조절장치(Up/Down Stroke Adjuster)(50)와; 상기 매니폴더 부재(15)를 통해 인입된 공기의 누출 및 진공의 누설을 방지하기 위해, 상기 본체부의
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