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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2009-0051978 (2009-06-11) | |
공개번호 | 10-2009-0129373 (2009-12-16) | |
등록번호 | 10-1593475-0000 (2016-02-03) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2008-154461 (2008-06-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090051978 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-06-11) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
도금액 및 도금 방법, 이것은 복합화제를 사용하지 않고, 이것은 전해 주석 도금이 수행될 때, 특히 전해 주석 도금이 배럴 도금 방법을 사용하여 수행될 때 매우 낮은 커플링 비율 및 우수한 솔더 웨팅 특성들을 제공한다.
(A) 주석 이온;(B) 산;(C) 하기 일반식 (3)에 의해 표현되는 아민 옥사이드; 및 (D) 방향족 알데히드 및 방향족 케톤으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 점착 방지제;를 포함하며,1 이하의 pH를 갖는, 칩 부품용 전해 주석 도금액:상기 식에서,R은 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고,R'은 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.
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