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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2009-0072664 (2009-08-07) |
| 공개번호 | 10-2011-0015115 (2011-02-15) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020090072664 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
| 법적상태 | 취하 |
본 발명은 구리 배선을 사용하는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 배면에 대한 공정을 단순화할 수 있는 구리 배선을 사용하는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 구리 배선을 사용하는 반도체 소자의 제조방법은 웨이퍼의 배면의 패드 실리콘질화막 표면에 존재하는 실리콘산화막, 폴리실리콘막 및 스페이서 질화막을 HF 용액과 FEP 식각용액을 사용하여 동시에 제거하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 구리 배선을 사용하는 반도체 소자의 제조방법에 의하면 웨이퍼 배면 구도를 간소화하여 제품의 OTD를
구리 배선을 사용하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 웨이퍼의 배면의 패드 실리콘질화막 표면에 존재하는 실리콘산화막, 폴리실리콘막 및 스페이서 질화막을 HF 용액과 FEP 식각용액을 사용하여 동시에 제거하는 것을 특징으로 하는 구리 배선을 사용하는 반도체 소자의 제조방법.
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