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정전척 재생 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/687
출원번호 10-2009-0125352 (2009-12-16)
공개번호 10-2011-0068409 (2011-06-22)
등록번호 10-1123968-0000 (2012-02-28)
DOI http://doi.org/10.8080/1020090125352
발명자 / 주소
  • 이문기 / 경기도 수원시 권선구 덕영대로****번길 **-**, ***동 ****호 (권선동, 대림아파트)
  • 김병기 / 경기도 수원시 권선구 덕영대로****번길 **-**, ***동 ***호 (권선동, 대림아파트)
  • 고영민 / 경기도 화성시 병점*로 ***, 주공아파트 ***동 ****호 (병점동)
출원인 / 주소
  • 아이원스 주식회사 / 경기도 화성시 동탄지성로***번길 **-* (반월동)
대리인 / 주소
  • 서경민; 서만규
심사청구여부 있음 (2009-12-16)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 손상된 DLC층과 실리콘층을 제거한 후, 새로 실리콘층과 글래스층을 형성함으로써, 손상된 정전척을 폐기하지 않고 다시 재생하여 사용할 수 있는 정전척의 재생 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 재생 방법은 바디층, 절연층, 제 1 실리콘층 및 DLC층이 차례로 증착되어 형성된 정전척에 있어서, 적어도 상기 DLC층이 에싱된 정전척을 준비하는 정전척 준비 단계; 상기 DLC층 및 제 1 실리콘층을 제거하는 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계; 상기 절연층의 상부에 제 2 실리콘층을 형성하는

대표청구항

바디층, 절연층, 제 1 실리콘층 및 DLC층이 차례대로 증착되어 형성된 정전척 재생 방법에 있어서,적어도 상기 DLC층이 에싱된 정전척을 준비하는 정전척 준비 단계;상기 DLC층 및 제 1 실리콘층을 제거하는 DLC층 및 제 1 실리콘층 제거 단계;상기 절연층의 상부에 제 2 실리콘층을 형성하는 제 2 실리콘층 형성 단계; 및상기 제 2 실리콘층의 상부에 글래스층을 형성하는 글래스층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 재생 방법.

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 반도체 제조 공정에서 사용되는 정전척 | 민병곤
  2. [미국] Electrostatic Chuck With Anti-Reflective Coating, Measuring Method and Use of Said Chuck | Kalkowski, Gerhard, Stenzel, Olaf, Stockl, Wieland
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