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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2009-7004428 (2009-03-02) | |
공개번호 | 10-2009-0038924 (2009-04-21) | |
등록번호 | 10-1505693-0000 (2015-03-18) | |
우선권정보 | 미국(US) 11/498,559 (2006-08-03) | |
국제출원번호 | PCT/US2007/016801 (2007-07-25) | |
국제공개번호 | WO 2008/018994 (2008-02-14) | |
번역문제출일자 | 2009-03-02 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020097004428 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-07-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
원자층 퇴적(ALD; atomic layer deposition)을 이용하여 바륨 티타늄 산화물(BaTiO3)의 지르코늄 치환된 층을 형성하는 것에 의해, 비휘발성 랜덤 액세스 메모리(NVRAM) 내의 유전체, 다층 세라믹 커패시터(MLCC; multi layer ceramic capacitor)용의 튜닝 가능한 유전체, 적외선 센서 및 전기 광학 변조기 등의 각종의 전자 장치에서 사용하기 위한 신뢰할 만한 구조가 생성된다.그 구조는 전구체 화학물들을 이용하여 기판 표면 상에 ALD에 의해 티탄산바륨 및 지르콘산바륨의 교대 층들을
미리 정해진 온도에서 원자층 퇴적(atomic layer deposition)에 의해 기판 상에 유전체 층을 형성하는 단계 - 상기 유전체 층은 적어도 하나의 산화티타늄 층, 하나의 산화바륨 층 및 하나의 산화지르코늄 층을 포함함 -;비휘발성 메모리 또는 마이크로-기계 장치(micro-mechanical device) 중 하나를 형성하기 위해 티타늄 및 바륨에 대한 지르코늄의 백분율을 조정하는 단계;상기 유전체 층을 어닐링(annealing)하는 단계; 및상기 유전체 층 상에 전기 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
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