반도체 웨이퍼들을 이송하는 베르누이 완드(50)가 제공된다. 완드(50)는 웨이퍼의 상부 표면과 웨이퍼의 하부 표면과 사이의 압력 차이를 생성하기 위하여 웨이퍼의 상부 표면을 따라 가스 유동을 생성하도록 구성된 복수의 가스 배출부들(74, 75)을 포함하는 헤드 부분(54)을 포함한다. 압력 차이는, 베르누이 원리를 이용하여, 실질적으로 비접촉인 방법으로 완드의 헤드 부분(54) 하에서 웨이퍼를 지지하는 상승력을 발생한다. 완드(50)는 가스 배출 홀들(74, 75)의 다른 세트들에 유동을 제공하도록 구성된 독립적으로 제어
반도체 웨이퍼들을 이송하는 베르누이 완드(50)가 제공된다. 완드(50)는 웨이퍼의 상부 표면과 웨이퍼의 하부 표면과 사이의 압력 차이를 생성하기 위하여 웨이퍼의 상부 표면을 따라 가스 유동을 생성하도록 구성된 복수의 가스 배출부들(74, 75)을 포함하는 헤드 부분(54)을 포함한다. 압력 차이는, 베르누이 원리를 이용하여, 실질적으로 비접촉인 방법으로 완드의 헤드 부분(54) 하에서 웨이퍼를 지지하는 상승력을 발생한다. 완드(50)는 가스 배출 홀들(74, 75)의 다른 세트들에 유동을 제공하도록 구성된 독립적으로 제어 가능한 가스 채널들(70, 80)을 가진다. 가스 배출 홀들(74, 75) 및 가스 채널들(70, 80)은 베르누이 원리를 이용하여 웨이퍼를 지지하도록 구성된다.
대표청구항▼
베르누이 효과를 이용하여 웨이퍼를 지지하기 위하여, 상기 웨이퍼에 대향하여 가스 유동을 인도하도록 배열된 제1 세트의 가스 배출부들 및 제2 세트의 가스 배출부들을 포함하는 헤드 부분; 및제1 단부 및 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부에서 로봇팔과 연결되고 상기 제2 단부에서 상기 헤드 부분과 연결되도록 구성되고, 그를 통하여 연장된 복수의 독립적으로 제어 가능한 가스 채널들의 부분들을 포함하는 목부;를 포함하고,상기 가스 채널들 각각은 상기 제1 및 제2 세트의 가스 배출부들 중의 하나와 유체 수송(fluid communic
베르누이 효과를 이용하여 웨이퍼를 지지하기 위하여, 상기 웨이퍼에 대향하여 가스 유동을 인도하도록 배열된 제1 세트의 가스 배출부들 및 제2 세트의 가스 배출부들을 포함하는 헤드 부분; 및제1 단부 및 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부에서 로봇팔과 연결되고 상기 제2 단부에서 상기 헤드 부분과 연결되도록 구성되고, 그를 통하여 연장된 복수의 독립적으로 제어 가능한 가스 채널들의 부분들을 포함하는 목부;를 포함하고,상기 가스 채널들 각각은 상기 제1 및 제2 세트의 가스 배출부들 중의 하나와 유체 수송(fluid communication)하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 1 항에 있어서,상기 복수의 독립적으로 제어 가능한 가스 채널들은 제1 가스 채널 세트 및 제2 가스 채널 세트를 포함하고, 상기 제1 가스 채널 세트는 상기 제1 세트의 가스 배출부들와 유체 수송하고, 상기 제2 가스 채널 세트는 상기 제2 세트의 가스 배출부들와 유체 수송하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 1 항에 있어서,상기 제1 세트의 가스 배출부들은, 전체적으로 방사형으로 바깥쪽으로 인도되는 가스 유동을 제공하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 2 항에 있어서,상기 제1 가스 채널 세트는, 상기 제1 세트의 가스 배출부들의 가스 배출부들 각각에 가스를 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 2 항에 있어서,복수의 완드 발부(feet)를 더 포함하고,상기 제1 가스 채널 세트 및 상기 제1 세트의 가스 배출부들은, 상기 복수의 완드 발부를 향하여 상기 웨이퍼를 바이어스시키기 위하여(biasing), 제1 힘으로 가스를 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 5 항에 있어서,상기 제2 세트의 가스 배출부들 및 상기 제2 가스 채널 세트는, 상기 복수의 완드 발부를 향하여 상기 웨이퍼를 바이어스시키기 위하여, 제2 힘으로 가스를 제공하도록 구성되고,상기 제2 힘은 상기 제1 힘에 비하여 큰 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 2 항에 있어서,상기 제2 가스 채널 세트는 제1 분지(branch) 및 제2 분지를 포함하고,상기 제1 및 제2 분지들은, 상기 제1 및 제2 분지들을 통하는 가스 유동 속도들을 제어하기 위한 조절 가능한 유동 오리피스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 7 항에 있어서,상기 조절 가능한 유동 오리피스들은 상기 제2 세트의 가스 배출부들로부터 균형잡힌 가스 유동을 제공하도록 구성되고, 상기 가스 유동은 상기 제1 가스 채널 세트와 제2 가스 채널 세트 사이에서 균형잡히는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 7 항에 있어서,상기 제2 세트의 가스 배출부들은, 상기 제1 분지와 연결되고 제1 회전 방향으로 상기 웨이퍼를 바이어스시키는 방향으로 가스를 인도하도록 구성된 적어도 하나의 배출부를 포함하고, 상기 제2 세트의 배출부들은, 상기 제2 분지와 연결되고, 상기 제1 회전 방향과 반대인 제2 회전 방향으로 상기 웨이퍼를 바이어스시키는 방향으로 가스를 인도하도록 구성된 적어도 하나의 배출부를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 7 항에 있어서,상기 제1 및 제2 분지들은, 상기 웨이퍼가 베르누이 효과에 의하여 지지되면서, 상기 웨이퍼의 회전을 제어하도록 구성되고 상기 웨이퍼의 회전은 상기 헤드 부분의 주 표면과 평행한 평면 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 7 항에 있어서,상기 제1 및 제2 분지들 각각은, 상기 제1 및 제2 분지들을 통하여 가스 유동 속도들을 제어하도록 구성된 조절 가능한 오리피스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 1 항에 있어서,상기 헤드 부분 및 상기 목부는 고온 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 12 항에 있어서,상기 고온 물질은 석영인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.베르누이 효과를 이용하여 웨이퍼를 지지하는 방법으로, 상기 웨이퍼에 대향하여 가스 유동을 인도하도록 배열된 복수의 가스 배출부들을 포함하는 헤드 부분;상기 헤드 부분으로부터 연장된 복수의 완드 발부; 및제1 단부 및 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부에서 로봇팔과 연결되고 상기 제2 단부에서 상기 헤드 부분과 연결되도록 구성되고, 그를 통하여 연장된 복수의 독립적으로 제어 가능한 가스 채널들을 포함하는 목부; 를 포함하고, 상기 가스 채널들은 상기 복수의 가스 배출부들과 유체 수송하고, 상기 가스 채널들은 상기 완드 발부를 향하여 상기 웨이퍼를 투-스테이지 바이어스(two-staged biasing)시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 14 항에 있어서,상기 복수의 가스 배출부들은 제1 세트의 가스 배출부들 및 제2 세트의 가스 배출부들을 포함하고, 상기 제1 세트의 가스 배출부들은, 상기 웨이퍼 하의 압력에 비하여 낮은 상기 웨이퍼 상의 압력을 생성하기 위하여, 상기 웨이퍼의 상부 표면을 가로지르고, 상기 웨이퍼의 주변을 향하여 실질적으로 방사형으로 바깥쪽으로 가스를 인도하도록 경사지고, 상기 제1 세트의 가스 배출부들은 상기 완드 발부를 향하여 약간의 바이어스를 부여하기 위하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 15 항에 있어서,상기 제2 세트의 가스 배출부들은 상기 완드 발부를 향하여 상기 웨이퍼를 바이어스시키는 유동을 제공하기 위하여 경사지고, 상기 제2 세트의 가스 배출부들로부터의 유동은 상기 제1 세트의 가스 배출부들로부터의 유동에 비하여 상기 완드 발부를 향하여 더 바이어스되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 15 항에 있어서,상기 복수의 가스 채널들은 제1 가스 채널 세트 및 제2 가스 채널 세트를 포함하고, 상기 제1 세트의 가스 배출부들은 상기 제1 가스 채널 세트와 유체 수송하고, 상기 제2 세트의 가스 배출부들은 상기 제2 가스 채널 세트와 유체 수송하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 14 항에 있어서,상기 가스 채널들 각각은 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 14 항에 있어서,상기 가스 채널들 각각은 가스 배출부들의 개별적인 세트와 유체 수송하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 14 항에 있어서,상기 헤드 부분은 석영으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 14 항에 있어서,상기 완드 발부는 상기 헤드 부분의 이격 단부에 위치하거나 또는 인접 단부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.베르누이 효과를 이용하여 웨이퍼를 지지하기 위하여, 상기 웨이퍼에 대향하여 가스 유동을 인도하도록 배열된 복수의 가스 배출부들을 포함하는 헤드 부분; 및제1 단부 및 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부에서 로봇팔과 연결되고 상기 제2 단부에서 상기 헤드 부분과 연결되도록 구성되고, 그를 통하여 연장된 복수의 독립적으로 제어 가능한 가스 채널들을 포함하는 목부;를 포함하고, 상기 가스 채널들은 상기 복수의 가스 배출부들과 유체 수송하고, 상기 가스 채널들은 상기 가스 배출부들로부터 상기 웨이퍼를 회전 방향으로 바이어스시키지 않는 가스 유동을 제공하도록 조절 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 22 항에 있어서,상기 헤드 상에 위치하는 복수의 완드 발부를 더 포함하고,상기 완드 발부는 상기 웨이퍼의 측방향 이동을 방지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 23 항에 있어서,상기 완드 발부는 상기 헤드의 이격 단부에 위치하거나 또는 인접 단부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 22 항에 있어서,상기 가스 채널들의 제1 가스 채널은 가스 배출부들의 제1 세트의 가스 배출부들과 유체 수송하고, 상기 가스 채널들의 제2 가스 채널은 가스 배출부들의 제2 세트의 가스 배출부들과 유체 수송하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 25 항에 있어서,상기 제1 세트의 가스 배출부들은 전체적으로 방사형으로 바깥쪽으로 인도된 가스 유동을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 25 항에 있어서,상기 제2 가스 채널은 제1 분지(branch)와 제2 분지를 포함하고,상기 제1 분지는 상기 웨이퍼를 제1 회전 방향으로 바이어스시키는 방향으로 상기 가스를 인도하도록 구성된 적어도 하나의 배출부로 가스를 공급하도록 구성되고, 상기 제2 분지는 상기 웨이퍼를 상기 제1 회전 방향과 반대인 제2 회전 방향으로 바이어스시키는 방향으로 상기 가스를 인도하도록 구성된 적어도 하나의 배출부로 가스를 공급하도록 구성되고, 상기 제1 및 제2 분지들은 상기 제1 및 제2 분지들을 통하여 상대적인 가스 유동을 조정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 27 항에 있어서,상기 제1 및 제2 분지들 각각은 제한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 28 항에 있어서,상기 제한 수단은 밸브인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.제 22 항에 있어서,상기 헤드 부분 및 상기 목부는 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 핸들링 장치.웨이퍼의 상부 표면 상에, 상기 웨이퍼의 측방향 이동을 방지하도록 구성된 복수의 완드 발부를 포함하는, 베르누이 완드의 헤드 부분을 위치시키는 단계;상기 웨이퍼의 상부 표면 상에 낮은 압력 영역을 생성하고, 상기 완드 발부에 대향하여 상기 웨이퍼에 약간의 측방향인 힘을 인가하여, 상기 헤드 부분을 향하여 상기 웨이퍼를 당김으로써 상기 웨이퍼를 지지하는 단계;상기 약간의 측방향인 힘을 인가한 후에, 상기 웨이퍼를 상기 낮은 압력 영역으로 지지하면서, 상기 웨이퍼에 대향하여 상기 약간의 측방향인 힘에 비하여 큰 추가적인 실질적으로 측방향인 힘을 인가하는 단계; 및 상기 추가적인 실질적으로 측방향인 힘을 인가한 후에, 상기 낮은 압력 영역으로 상기 웨이퍼를 지지하면서, 실질적으로 비접촉인 방법으로 상기 웨이퍼를 이송하는 단계;를 포함하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 31 항에 있어서,상기 웨이퍼 상의 상기 낮은 압력 영역 내의 압력은 상기 웨이퍼 하의 압력에 비하여 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 31 항에 있어서,상기 낮은 압력 영역을 생성하는 단계는, 상기 웨이퍼의 상부 표면을 가로질러 전체적으로 방사형으로 바깥쪽으로 가스를 유동하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 33 항에 있어서,상기 낮은 압력을 생성하는 단계는, 상기 헤드 부분의 하부 표면 내의 제1 세트의 가스 배출 홀들을 통하여 가스를 유동하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 34 항에 있어서,상기 추가적인 실질적으로 측방향인 힘을 인가하는 단계는, 상기 헤드 부분의 하부 표면 내의 제2 세트의 가스 배출 홀들을 통하여 가스를 유동하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 31 항에 있어서,상기 웨이퍼를 당기는 단계는, 상기 웨이퍼를 이송하면서, 상기 웨이퍼의 에지 만이 상기 발부에 접촉하도록 상기 발부를 향하여 상기 웨이퍼를 바이어스시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 36 항에 있어서,상기 웨이퍼의 에지가 상기 발부와 접촉하면서, 상기 추가적인 실질적으로 측방향인 힘측방향인 힘 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 31 항에 있어서,상기 완드 발부는 상기 헤드 부분의 이격 단부에 위치하거나 또는 인접 단부 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 31 항에 있어서,상기 헤드 부분은 고온 공정용 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.웨이퍼의 상부 표면 상에 베르누이 완드의 헤드 부분을 위치시키는 단계;상기 웨이퍼의 상부 표면 상에 낮은 압력 영역을 생성하여, 상기 헤드 부분을 향하여 상기 웨이퍼를 당김으로써 상기 웨이퍼를 지지하는 단계;상기 웨이퍼를 지지하면서, 상기 헤드 부분의 주 표면과 평행한 평면 내에서 이루어지는 상기 웨이퍼의 회전을 제어하는 단계; 및상기 낮은 압력 영역으로 상기 웨이퍼를 지지하면서, 실질적으로 비접촉인 방법으로 웨이퍼를 이송하는 단계;를 포함하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 40 항에 있어서,상기 웨이퍼의 회전을 제어하는 단계는, 상기 가스 유동이 회전 바이어스를 상기 웨이퍼에 부여하지 않도록, 상기 헤드 부분으로부터 상기 웨이퍼까지 가스 유동을 조정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 40 항에 있어서,상기 웨이퍼를 지지하는 단계는, 상기 헤드 부분의 제1 세트의 가스 배출부들을 통하여 제1 가스 채널로부터 가스를 유동하는 단계;를 포함하고,상기 웨이퍼의 회전을 제어하는 단계는,상기 헤드 부분의 제2 세트의 가스 배출부들을 통하여 제1 가스 채널로부터 가스를 유동하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 42 항에 있어서,상기 제2 가스 채널은 제1 분지 및 제2 분지를 포함하고, 상기 제1 및 제2 분지들 각각은 가스를 개별적인 가스 배출부들로 공급하고,상기 웨이퍼의 회전을 제어하는 단계는, 상기 제1 및 제2 분지들 사이에서 상대적인 가스 유동을 조정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 43 항에 있어서,상기 조정하는 단계는,밸브를 조정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.제 40 항에 있어서,상기 헤드 부분은 고온 공정용 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송 방법.
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