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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-7017743 (2009-08-26) |
공개번호 | 10-2010-0014849 (2010-02-11) |
국제출원번호 | PCT/JP2008/051876 (2008-02-05) |
국제공개번호 | WO2008105223 (2008-09-04) |
번역문제출일자 | 2009-08-26 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020097017743 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
반도체소자의 제조비용 저감, 수율 향상이 가능한, 셀프얼라인먼트 방식에 의한 콘택트 플러그 형성을 위한 CMP를, 1종류의 슬러리로 실시하기 위해서 필요한, 실리콘막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막의 연마 속도와 연마 속도비가 얻어지는 실리콘막용 CMP 슬러리이며, 연마 입자, 양이온성 계면활성제 및 물을 함유하여 이루어지는 pH6.0~8.0의 실리콘막용 CMP 슬러리이다.
연마 입자, 양이온성 계면활성제 및 물을 함유하여 이루어지는 pH6.0~8.0의 실리콘막용 CMP 슬러리.
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