초록

본 발명은 고온 고습하에서도 신뢰성이 높은 전기 접속을 가능하게 하는 이방성 도전 페이스트, 및 상기 이방성 도전 페이스트를 이용한 접속을 포함하는 반도체 장치를 제공한다. 에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자 및 절연성 무기 충전재를 포함하고, 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작은 이방성 도전 페이스트이다.

대표청구항 ▼

에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자 및 절연성 무기 충전재를 포함하고, 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작은 이방성 도전 페이스트.제1항에 있어서, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 땜납 입자가 5 내지 900 중량부인 이방성 도전 페이스트.제1항 또는 제2항에 있어서, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 이미다졸 화합물이 10 내지 50 중량부인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 도전 페이스트의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 최대

에폭시 수지, 이미다졸 화합물, 땜납 입자 및 절연성 무기 충전재를 포함하고, 땜납 입자의 평균 입자 치수보다도 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 작은 이방성 도전 페이스트.제1항에 있어서, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 땜납 입자가 5 내지 900 중량부인 이방성 도전 페이스트.제1항 또는 제2항에 있어서, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 이미다졸 화합물이 10 내지 50 중량부인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 도전 페이스트의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 최대 발열 피크 온도가 땜납 입자의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 최대 흡열 피크 온도보다 높고, 여기서, 시차 주사 열 분석은 30 내지 300 ℃의 온도 범위를 매분 500 ℃로 등속 승온시킨 것인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 도전 페이스트의 시차 주사 열 분석 곡선으로부터 구한 전체 발열량에 대하여, 땜납 입자의 최대 흡열 피크 온도 이하의 온도에서의 발열량이 20％ 이하이고, 여기서, 시차 주사 열 분석은 30 내지 300 ℃의 온도 범위를 매분 500 ℃로 등속 승온시킨 것인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 땜납 입자가 Sn 함유 합금인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 땜납 입자의 평균 입자 치수가 0.5 내지 50 μm인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 절연성 무기 충전재가 실리카인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 절연성 무기 충전재의 평균 입자 치수가 0.025 내지 25 μm인 이방성 도전 페이스트.제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 도전 페이스트 중의 절연성 무기 충전재가 2.5 내지 35 중량％인 이방성 도전 페이스트.전자 기기의 실장에 있어서, 접속 대상물끼리를 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 페이스트를 개재시켜 열 압착시키는 것을 포함하는 접속 방법.제11항에 있어서, 접속 대상물의 한쪽이 칩 단자의 범프이고, 다른 한쪽이 배선판 상의 전극인 접속 방법.제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 페이스트를 이용한 접속을 포함하는 반도체 장치.