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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2012-7020291 (2012-08-01) | |
공개번호 | 10-2013-0088003 (2013-08-07) | |
등록번호 | 10-1829475-0000 (2018-02-08) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2010-132501 (2010-06-09) | |
국제출원번호 | PCT/JP2011/062216 (2011-05-27) | |
국제공개번호 | WO 2011/155348 (2011-12-15) | |
번역문제출일자 | 2012-08-01 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020127020291 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-05-10) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
발광 다이오드 소자 (LED) 등의 발광 소자를 배선판에 플립 칩 실장하여 발광 장치를 제조할 때에 사용하는 이방성 도전 페이스트로서, 제조 비용의 증대를 초래하는 광반사층을 LED 에 형성하지 않고 발광 효율을 개선하기 위해서 광반사성 절연 입자를 배합한 경우에, 고온 환경하에서의 발광 소자의 배선판에 대한 접착 강도의 저하를 억제할 수 있고, 또한 TCT 후에도 도통 신뢰성의 저하를 억제할 수 있는 광반사성 이방성 도전 페이스트는, 도전 입자 및 광반사성 절연 입자가 열경화성 수지 조성물에 분산되어 이루어지는 것이다. 열경화성
발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해서 사용하는 광반사성 이방성 도전 페이스트로서, 도전 입자 및 광반사성 절연 입자가 열경화성 수지 조성물에 분산되어 이루어지고, 그 열경화성 수지 조성물이 에폭시 화합물과 열촉매형 경화제를 함유하고,상기 광반사성 절연 입자의 굴절률 (JIS K7142) 이, 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물의 굴절률 (JIS K7142) 보다 큰 것을 특징으로 하는 광반사성 이방성 도전 페이스트.
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