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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0051121 (2010-05-31) | |
공개번호 | 10-2010-0138748 (2010-12-31) | |
등록번호 | 10-1291880-0000 (2013-07-25) | |
우선권정보 | 독일(DE) 10 2009 030 295.6 (2009-06-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100051121 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-05-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
반도체 웨이퍼를 제조하는 방법은,a) 실리콘 봉을 절단하여 웨이퍼로 만듦으로써 반도체 웨이퍼를 마련하는 단계;b) 반도체 웨이퍼가 전면 및 배면에서 편평한 표면과 에지 영역에서 경사진 라운드 표면을 포함하도록 반도체 웨이퍼의 에지를 라운드 가공하는 단계; 및c) 반도체 웨이퍼의 전면 및 배면을 폴리싱 가공하는 단계를 포함하며, 반도체 웨이퍼의 전면의 폴리싱 가공은 고정된 연마재가 없는 폴리싱 패드를 이용한 화학기계적 폴리싱 가공을 포함하며, 반도체 웨이퍼의 배면의 폴리싱 가공은 연마재 물질이 결합되어 있고 반도체 웨이퍼의 배면 상에
반도체 웨이퍼를 제조하는 방법으로서, a) 실리콘 봉을 절단하여 웨이퍼로 만듦으로써 반도체 웨이퍼를 마련하는 단계;b) 반도체 웨이퍼가 전면 및 배면에서 편평한 표면과 에지 영역에서 경사진 라운드 표면을 포함하도록 반도체 웨이퍼의 에지를 라운드 가공하는 단계; 및c) 반도체 웨이퍼의 전면 및 배면을 폴리싱 가공하는 단계를 포함하며, 상기 반도체 웨이퍼의 전면의 폴리싱 가공은 고정된 연마재가 없는 폴리싱 패드를 이용한 화학기계적 폴리싱 가공을 포함하며, 상기 반도체 웨이퍼의 배면의 폴리싱 가공은 연마재 물질이 결합되어 있고 반도체 웨
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