초록 ▼

본 발명은 실리콘 카바이드 트렌치 모스펫(SiC trench MOSFET 또는 SiC UMOSFET)의 새로운 제작방법을 제시하고 있으며, 좀 더 상세하게는 실리콘 카바이드 모스펫의 게이트 절연막을 균일한 두께로 형성할 수 있는 방법을 제시한다. 실리콘 카바이드에 트렌치를 식각하고, 트렌치 측면 및 바닥면에 실리콘 박막을 형성한 후 산화공정을 실시하면 실리콘 박막과 실리콘 카바이드의 일부가 산화되면서 게이트 산화막이 형성되므로 트렌치 측면과 바닥면의 게이트 산화막 두께 차이를 완화할 수 있다. 이때, 증발법(evaporation),

본 발명은 실리콘 카바이드 트렌치 모스펫(SiC trench MOSFET 또는 SiC UMOSFET)의 새로운 제작방법을 제시하고 있으며, 좀 더 상세하게는 실리콘 카바이드 모스펫의 게이트 절연막을 균일한 두께로 형성할 수 있는 방법을 제시한다. 실리콘 카바이드에 트렌치를 식각하고, 트렌치 측면 및 바닥면에 실리콘 박막을 형성한 후 산화공정을 실시하면 실리콘 박막과 실리콘 카바이드의 일부가 산화되면서 게이트 산화막이 형성되므로 트렌치 측면과 바닥면의 게이트 산화막 두께 차이를 완화할 수 있다. 이때, 증발법(evaporation), 분자선 증착법(molecular beam deposition), 이온빔 증착법(ion beam deposition) 등의 공정기술을 사용하여 실리콘 박막을 트렌치에 증착하게 되면 트렌치 측면보다 바닥면에 보다 두껍게 실리콘 박막을 증착하고, 이 상태에서 산화공정을 실시하면 트렌치 바닥면에 형성된 실리콘 박막이 산화되면서 결과적으로 트렌치 측면과 바닥면에 균일한 두께의 게이트 산화막을 형성할 수 있게 된다. 이에 의해 실리콘 카바이드 트렌치 모스펫의 신뢰성을 제고하고 실용화를 촉진시키게 된다.

대표청구항 ▼

실리콘 카바이드에 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치에 실리콘 박막을 형성한 후, 상기 실리콘 박막이 형성된 실리콘 카바이드를 산화시켜 트렌치 측면과 바닥면에 실리콘 산화막을 형성하여 게이트 절연막을 제조하되, 상기 실리콘 박막은 기상(vapor phase)에서의 실리콘 원자 또는 입자의 평균자유행로(mean free path)가 길거나, 실리콘 원자 또는 입자의 방향성(directionality)이 강한 증착방법을 사용하여, 트렌치의 측면보다 바닥면에 더 두껍게 증착되도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 트렌치 모스펫의 제작

실리콘 카바이드에 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치에 실리콘 박막을 형성한 후, 상기 실리콘 박막이 형성된 실리콘 카바이드를 산화시켜 트렌치 측면과 바닥면에 실리콘 산화막을 형성하여 게이트 절연막을 제조하되, 상기 실리콘 박막은 기상(vapor phase)에서의 실리콘 원자 또는 입자의 평균자유행로(mean free path)가 길거나, 실리콘 원자 또는 입자의 방향성(directionality)이 강한 증착방법을 사용하여, 트렌치의 측면보다 바닥면에 더 두껍게 증착되도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 트렌치 모스펫의 제작 방법.