초록

본 발명은 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 금속급 실리콘을 고순도 실리콘 박막을 증착하여 실리콘 막대를 형성하는 것으로서, 특히 회전전극 주위에 회전하는 실리콘 코어 필라멘트를 설치하는 것을 특징으로 한다. 종래 금속급 실리콘을 고순도화하기 위해서는 지멘스 공법이나 금속 정련법이 이용되었으나, 전력소모가 많은 단점이 있다. 하지만 이 방법으로는 회전전극과 실리콘 코어 필라멘트 사이에서만 방전이 일어나므로 전력소모가 적은 장점이 있고, 저비용으로 고순도의 실리콘을 높은 증착 속도로 대량생산이 가능하다는 장점을 가지고 있다.

대표청구항 ▼

CVD 장치를 이용한 고순도 실리콘의 대량 생산 방법으로서, (a) CVD 반응용기 내에 정제하고자 하는 원료 실리콘으로 제조한 원료전극과, 상기 원료전극과 소정 거리를 두고 이격되게 실리콘 코어 필라멘트를 배치하는 단계;(b) 상기 CVD 반응용기 내에 불순물 농도가 1ppb 미만인 수소 가스와 불활성 가스를 주입하는 단계; 및 (c) 상기 원료전극을 냉각시키고 상기 실리콘 코어 필라멘트를 가열시키며, 상기 원료전극에 전원을 인가하여 상기 원료전극과 실리콘 코어 필라멘트 사이에 수소 플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하며, 상기 (

CVD 장치를 이용한 고순도 실리콘의 대량 생산 방법으로서, (a) CVD 반응용기 내에 정제하고자 하는 원료 실리콘으로 제조한 원료전극과, 상기 원료전극과 소정 거리를 두고 이격되게 실리콘 코어 필라멘트를 배치하는 단계;(b) 상기 CVD 반응용기 내에 불순물 농도가 1ppb 미만인 수소 가스와 불활성 가스를 주입하는 단계; 및 (c) 상기 원료전극을 냉각시키고 상기 실리콘 코어 필라멘트를 가열시키며, 상기 원료전극에 전원을 인가하여 상기 원료전극과 실리콘 코어 필라멘트 사이에 수소 플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하며, 상기 (c) 단계에서 생성된 수소 플라즈마는 상기 냉각된 원료전극으로부터 실란을 형성하고 형성된 실란은 상기 가열된 실리콘 코어 필라멘트 상에서 분해되어 고순도 실리콘을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.