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실리콘 질화막 식각액 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23F-001/24
  • C09K-013/04
출원번호 10-2010-0139731 (2010-12-31)
공개번호 10-2012-0077676 (2012-07-10)
등록번호 10-1391605-0000 (2014-04-28)
DOI http://doi.org/10.8080/1020100139731
발명자 / 주소
  • 임정훈 / 대전광역시 대덕구 송촌로**번길 **, 공원주택 ***호 (송촌동)
  • 이양화 / 대전광역시 유성구 배울*로 **, 신동아파밀리에 ***동 ****호 (관평동)
  • 이진욱 / 강원 춘천시 동내면 향군길 ** ***동 ***호 (산수빌아파트)
  • 박재완 / 대구광역시 달서구 선원로 ***, ***동 ****호 (이곡동, 성서무지개타운)
출원인 / 주소
  • 솔브레인 주식회사 / 경기도 성남시 분당구 판교로***번길 ** (삼평동)
대리인 / 주소
  • 박창희; 김종관; 권오식
심사청구여부 있음 (2010-12-31)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물에 관한 것으로 자세하게는 반도체 공정에서 실리콘질화막 또는 실리콘산화막을 식각함에 있어서, 장기간 사용시에도 실리콘질화막과 실리콘산화막의 선택비에 영향을 주지 않고 식각속도를 일정하게 유지할 수 있는 습식 식각용 조성물이며, 인화합물과 암모늄계화합물을 포함하는 습식 식각용 조성물에 관한 것이다.

대표청구항

황산, 인산 및 염산 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 산의 암모늄염, 인산 및 물을 포함하는 실리콘 질화막 식각액 조성물.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] ETCHING COMPOSITION AND ETCHING METHOD | HARA YASUSHI, TAKAHASHI FUMIHARU, HAYASHI HIROAKI, SHIMONO TETSUSUU

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 식각 조성물 및 이를 제조하는 방법 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | 방병선, 김대훈, 최중봉, 이영일, 오승훈, 박귀수
  2. [한국] 실리콘 질화막 식각 조성물 | 박현우, 김동현, 조장우, 이명호, 송명근
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