초록

하기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 실릴포스핀계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물 및 인산을 포함하는 실리콘질화막 식각액 조성물을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 실리콘 질화막 식각액 조성물은 기존의 인산 식각액보다 높은 선택비를 가지며 2회 이상의 식각공정에도 50 내지 1000의 실리콘질화막 식각비를 나타내므로, 실리콘질화막 식각용 조성물로 유용하게 사용될 수 있다.[화학식 1][화학식 2]

대표청구항 ▼

하기 화학식 1 및 화학식 2로 각각 표시되는 실릴포스핀 옥사이드계 화합물 및 실릴포스핀계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물 및 인산을 포함하는 실리콘질화막 식각액 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에서,R1, R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록시기, 아미노기, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알콕시, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 아미노알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C2-C20 알케닐, C3-C20 사이클로알킬, C6-C30 아릴, C1-C20 알

하기 화학식 1 및 화학식 2로 각각 표시되는 실릴포스핀 옥사이드계 화합물 및 실릴포스핀계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물 및 인산을 포함하는 실리콘질화막 식각액 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에서,R1, R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록시기, 아미노기, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알콕시, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 아미노알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C2-C20 알케닐, C3-C20 사이클로알킬, C6-C30 아릴, C1-C20 알킬카보닐 또는 이고,R4, R5, R6, R7, R8 및 R9은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록시기, 아미노기, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알콕시, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 아미노알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C2-C20 알케닐, C3-C20 사이클로알킬, C6-C30 아릴, C1-C20 알킬카보닐 또는 이다.)[화학식 2](상기 화학식 2에서,R1, R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록시기, 아미노기, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알콕시, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 아미노알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C2-C20 알케닐, C3-C20 사이클로알킬, C6-C30 아릴, C1-C20 알킬카보닐 또는 이고,R4, R5, R6, R7, R8 및 R9은 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 하이드록시기, 아미노기, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 알콕시, 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C20 아미노알킬, 직쇄 또는 분지쇄의 C2-C20 알케닐, C3-C20 사이클로알킬, C6-C30 아릴, C1-C20 알킬카보닐 또는 이다.)