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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2011-0145336 (2011-12-29) | |
| 공개번호 | 10-2013-0076918 (2013-07-09) | |
| 등록번호 | 10-1320416-0000 (2013-10-15) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020110145336 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2011-12-29) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 소자나 평판형 디스플레이등의 절역막으로 사용되는 실리콘 질화막을 선택적으로 제거하고 장기간의 고온 공정사용에도 질화막 및 산화막의 선택성 및 안정성을 높여 기존의 실리콘 산화막과 실리콘 질화막의 선택비 보다 높은 선택비를 획득하는 실리콘 질화막의 습식 식각액 조성물에 관한 것이다.본 발명에 따르는 실리콘 질화막의 습식 식각액 조성물은 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막층이 교차로 적층 되거나 혼재할 경우, 실리콘 산화막과 실리콘 질화막의 선택적 식각이 가능하며, 기존의 규산 및 규산염을 첨가하는 방법에서 발생된 파티클
인산, 실릴 설페이트 화합물 및 물을 포함하며, 상기 실릴 설페이트 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 갖는 식각액 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1 내지 R4 는 서로 독립적으로 수소, OH, (C1-C20)알킬, (C1-C20)알콕시, (C2-C20)알케닐, (C3-C20)시클로알킬, 아미노(C1-C20)알킬, (C6-C20)아릴, (C1-C20)알킬카보닐, (C1-C20)알킬카보닐옥시 또는 시아노(C1-C10)알킬이고; m 은 0 내지 1000의 정수이고; n은 1 내지 3의 정수이며;z는 1 또는 2 이다.
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