초록 ▼

기판의 표면으로부터 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 시스템 및 방법은 기판의 표면으로부터 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 건식 플래시 케미스트리를 식별하는 단계를 포함한다. 건식 플래시 케미스트리는, 저유전율 유전체막 레이어를 통해 피쳐가 형성되었던 영역에서 에칭 동작 후에 남은 에칭후 폴리머 잔류물을 선택적으로 제거하도록 구성된다. 짧은 플래시 프로세스를 이용하여 식별된 건식 플래시 케미스트리를 인가하여, 에칭후 폴리머 잔류물의 적어도 일부를 제거하면서 유전체막 레이어에 대한 손상을 최소화한다. 이후, 기판의 표면에 습식 세정 케

기판의 표면으로부터 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 시스템 및 방법은 기판의 표면으로부터 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 건식 플래시 케미스트리를 식별하는 단계를 포함한다. 건식 플래시 케미스트리는, 저유전율 유전체막 레이어를 통해 피쳐가 형성되었던 영역에서 에칭 동작 후에 남은 에칭후 폴리머 잔류물을 선택적으로 제거하도록 구성된다. 짧은 플래시 프로세스를 이용하여 식별된 건식 플래시 케미스트리를 인가하여, 에칭후 폴리머 잔류물의 적어도 일부를 제거하면서 유전체막 레이어에 대한 손상을 최소화한다. 이후, 기판의 표면에 습식 세정 케미스트리를 인가한다. 습식 세정 케미스트리의 인가는 짧은 플래시 프로세스 후에 남은 상기 에칭후 폴리머 잔류물의 실질적인 제거를 돕는다.

대표청구항 ▼

기판의 표면으로부터 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 방법으로서,상기 기판의 표면으로부터 상기 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 건식 플래시 케미스트리를 식별하는 단계로서, 상기 건식 플래시 케미스트리는, 저유전율 유전체막 레이어를 통해 피쳐가 형성된 영역에서 에칭 동작 후 남은 에칭후 폴리머 잔류물을 선택적으로 제거하도록 구성되며, 상기 건식 플래시 케미스트리는 건식 세정 케미칼로 구성되는, 상기 건식 플래시 케미스트리의 식별 단계;짧은 플래시 (shortflash) 프로세스를 이용하여 상기 식별된 건식 플래시 케미스트리를 인가하는

기판의 표면으로부터 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 방법으로서,상기 기판의 표면으로부터 상기 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 건식 플래시 케미스트리를 식별하는 단계로서, 상기 건식 플래시 케미스트리는, 저유전율 유전체막 레이어를 통해 피쳐가 형성된 영역에서 에칭 동작 후 남은 에칭후 폴리머 잔류물을 선택적으로 제거하도록 구성되며, 상기 건식 플래시 케미스트리는 건식 세정 케미칼로 구성되는, 상기 건식 플래시 케미스트리의 식별 단계;짧은 플래시 (shortflash) 프로세스를 이용하여 상기 식별된 건식 플래시 케미스트리를 인가하는 단계로서, 상기 건식 플래시 케미스트리의 짧은 플래시 인가는 상기 에칭후 폴리머 잔류물의 적어도 일부를 제거할 수 있는, 상기 식별된 건식 플래시 케미스트리의 인가 단계; 및상기 기판의 표면에 습식 세정 케미스트리를 인가하는 단계로서, 상기 습식 세정 케미스트리의 인가는 상기 짧은 플래시 프로세스 후에 남은 상기 에칭후 폴리머 잔류물의 실질적인 제거를 돕는, 상기 습식 세정 케미스트리의 인가 단계를 포함하는, 에칭후 폴리머 잔류물을 제거하는 방법.