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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0068782 (2011-07-12) | |
공개번호 | 10-2013-0008190 (2013-01-22) | |
등록번호 | 10-1337967-0000 (2013-12-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110068782 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-07-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 굽힘 가공성을 가지는 저저항 고투과율 FTO 투명전도막 제조 방법으로, 불소가 도핑된 산화주석 투명전도막을 상압 CVD 및 스프레이 파이로졸법에 의하여 투명기판위에 증착하는 단계; 상기 불소가 도핑된 산화주석 박막을 air 분위기하에서 후 열처리하여 곡면가공 또는 굽힘성형하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
굽힘 가공성을 가지는 저저항 고투과율 FTO 투명전도막 제조 방법에 있어서, 불소가 도핑된 산화주석 투명전도막을 상압 CVD 및 스프레이 파이로졸법에 의하여 투명기판 위에 증착하는 단계;상기 불소가 도핑된 산화주석 박막을 air 분위기하에서 후 열처리하여 곡면가공 또는 굽힘성형하는 단계; 및결정구조가 안정하게 유지되도록 450도에서 일정시간 유지시킨 후에 승온하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 굽힘 가공성을 가지는 저저항 고투과율 FTO 투명전도막 제조 방법.
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