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고기능성 질화막 식각 조성물 및 그에 따른 식각방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • C09K-013/04
  • H01L-021/027
출원번호 10-2011-0078920 (2011-08-09)
공개번호 10-2013-0016797 (2013-02-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1020110078920
발명자 / 주소
  • 길준잉 / 경기도 광주시 송정동 ***번지 브라운스톤A ***동 ***호
  • 이석호 / 경기도 용인시 기흥구 동백죽전대로 ***-**, 동원로얄듀크아파트 ***동 ****호 (동백동)
  • 박정준 / 서울특별시 노원구 섬밭로 ***, 벽산아파트 *동 ***호 (하계동)
  • 정광석 / 경기도 안양시 동안구 달안로 **, 샛별한양아파트 ***동 ****호 (비산동)
출원인 / 주소
  • 램테크놀러지 주식회사 / 경기도 용인시 처인구 양지면 주북로 ***
심사청구여부 있음 (2011-08-09)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록 ▼

본 발명은 질화막 습식 식각용 조성물에 관한 것으로 질화막의 식각 속도를 확보하는 동시에, 산화막의 식각속도를 최소화로 유지할 수 있는 고선택비 질화막 식각용액에 관한 것이다.본 발명에 따른 질화막 식각 조성물로 ,질화막을 식각 할 경우 테트라알킬암모늄 실리케이트(Tetraalkyl Ammonium silicate)의 높은 이온 전도성과 풍부한 암모늄이온으로 인해 실리콘 질화막의 식각속도는 유지된 채 실리콘 산화 막의 식각 속도를 최소화할 수 있는 우수한 식각 선택비를 제공할 수 있다.상기 사항이 가능한 이유는 테트라알킬암모늄 실리

대표청구항

조성물의 총 중량에 대해 0.05 내지 1% 중량%의 식각속도 개선제와나머지 성분은 인산 및 순수(Deionized water)을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화막 식각용액

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 고 식각속도 인듐산화막 식각용액 | 김성수, 박영철, 양승재
    상세보기
  2. [한국] 반도체 디바이스의 제조 방법 | 김동인, 박성수, 손은숙, 오준표
    상세보기

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | 조용준, 양윤석, 이경호
    상세보기
  2. [한국] 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 방법 | 김동현, 박현우, 홍성준, 이명호, 송명근, 김훈식, 고재중, 이명의, 황준혁
    상세보기

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