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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0089053 (2011-09-02) | |
공개번호 | 10-2013-0025629 (2013-03-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110089053 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-09-02) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 박막 성장방법에 관한 것으로서, 기판을 마련하는 과정과; 상기 기판을 챔버 내부에 로딩하는 과정과; 상기 챔버 내의 분위기 및 기판 온도를 제어하는 과정; 및 상기 챔버 내에 Si2Cl6(HCDS) 및 Si2(CH3)6(HMDS)를 함유하는 공정 가스를 공급하여 상기 기판에 탄화규소 박막을 성장시키는 과정;을 포함하며, 탄화규소(SiC) 박막의 성장률과 품질을 증대시킬 수 있다.
탄화규소 박막 성장방법으로서, 기판을 마련하는 과정과;상기 기판을 챔버 내부에 로딩하는 과정과;상기 챔버 내의 분위기 및 기판 온도를 제어하는 과정; 및 상기 챔버 내에 Si2Cl6(HCDS) 및 Si2(CH3)6(HMDS)를 함유하는 공정 가스를 공급하여 상기 기판에 탄화규소 박막을 성장시키는 과정;을 포함하는 박막 성장방법.
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