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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0141935 (2011-12-26) | |
공개번호 | 10-2013-0074066 (2013-07-04) | |
등록번호 | 10-1303795-0000 (2013-08-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110141935 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-12-26) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 디바이스 또는 액정 디스플레이 등을 제조할 때 방진막으로 사용되는 리소그래피용 펠리클에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 초극자외선용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 자외선이 투과하는 펠리클 막과 상기 펠리클 막을 지지하는 펠리클 프레임을 포함하는 반도체 리소그래피용 펠리클에 있어서, 상기 펠리클 막은 두께가 100㎚이하인, 지르코늄(zirconium, Zr) 또는 몰리브덴(molybdenum, Mo) 금속 박막인 것을 특징으로 하는 초극자외선용 펠리클이 제공된다. 본 발명에 따른 초극자외선용 펠리클은
자외선이 투과하는 펠리클 막과 상기 펠리클 막을 지지하는 펠리클 프레임을 포함하는 반도체 리소그래피용 펠리클에 있어서,상기 펠리클 막은 두께가 100㎚ 이하인, 지르코늄(zirconium, Zr) 또는 몰리브덴(molybdenum, Mo) 금속 단일 박막이며, 상기 펠리클 프레임은 세라믹인 것을 특징으로 하는 초극자외선용 펠리클.
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