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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-7016060 (2011-07-11) |
공개번호 | 10-2011-0113612 (2011-10-17) |
국제출원번호 | PCT/JP2010/051201 (2010-01-29) |
국제공개번호 | WO2010092878 (2010-08-19) |
번역문제출일자 | 2011-07-11 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020117016060 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
생산 코스트의 상승이나, 장치의 대형화를 초래하지 않고, 서스셉터의 품질이나 생산성을 비약적으로 향상시킬 수 있는 CVD 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 탄소질 기재(10)의 일부에 오목한 상태의 마스킹부(10a)가 형성되고, 이 마스킹부(10a)에 마스킹 치구(7)를 끼워넣은 상태에서 내부에 가스를 도입함으로써, 마스킹 치구(7)에 의해 덮인 부위를 제외한 탄소질 기재(10)의 표면에 SiC 피막을 형성하는 CVD 장치에 있어서, 상기 마스킹 치구(7)를 피막형성용 치구(2)에 고정함으로써, 상기 탄소질 기재(10)를 피막형
판 모양의 탄소질 기재(基材)의 일부에 오목한 상태의 마스킹(masking)부가 형성되고, 이 마스킹부에 마스킹 치구(治具)를 끼워넣은 상태에서 내부에 가스를 도입함으로써, 마스킹 치구에 의해 덮인 부위를 제외한 탄소질 기재의 표면에 SiC 피막을 형성하는 CVD 장치에 있어서,상기 마스킹 치구를 피막형성용 치구에 고정함으로써, 상기 탄소질 기재를 피막형성용 치구로 지지하고, 또한, 상기 탄소질 기재의 주면(主面)의 연직축에 대한 상향각도가 0°를 넘어 90° 미만이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
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