초록 ▼

본 발명에서는 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크가 제조되는 증착로에 가스를 공급하기 위한 가스 혼합 시스템은 헤더(Header)(10)와 분사 라인(Line)(20)으로 구성되고, 상기 헤더(10)는 분사 라인(20)을 감싼 외부 관이고, 헤더(10)의 앞 쪽에는 공급관(31)이 더 구비되고, 상기 공급관을 통하여MTS, 질소, 및 수소가 상기 가스 혼합 시스템에 공급되고,상기 헤더(10)에는 적어도 2개 이상의 노즐(32)이 연결되고, 상기 노즐(32)에서 MTS와 질소와 수소가 증착로(40)로 분사되고, 상기 헤더(10

본 발명에서는 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크가 제조되는 증착로에 가스를 공급하기 위한 가스 혼합 시스템은 헤더(Header)(10)와 분사 라인(Line)(20)으로 구성되고, 상기 헤더(10)는 분사 라인(20)을 감싼 외부 관이고, 헤더(10)의 앞 쪽에는 공급관(31)이 더 구비되고, 상기 공급관을 통하여MTS, 질소, 및 수소가 상기 가스 혼합 시스템에 공급되고,상기 헤더(10)에는 적어도 2개 이상의 노즐(32)이 연결되고, 상기 노즐(32)에서 MTS와 질소와 수소가 증착로(40)로 분사되고, 상기 헤더(10) 내부에 존재하는 분사 라인(20) 입구쪽에는 질소가 공급되고, 상기 분사 라인에는 작은 홀이 다수개 구비되므로서, Gas mixing system 개선을 통해, 종래 알려진 제조 방법에서 사용되는 질소(N2) 가스보다 적은 질소(N2) 가스를 투입량으로 저저항 CVD SiC 제조 가능하며, 또한 질소 가스를 균일하게 분사하도록 할 뿐 아니라, 노즐별 저항값의 편차를 줄일 수 있는 실리콘 카바이트 제조 장치가 개시된다.

대표청구항 ▼

화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크의 저항 값이 0.3 Ω 이하일 때 준안정층인 상기 벌크 표면에서부터 깊이(Depth) 1,500nm 이상에서의 질소 농도값은 4.0x1018 atoms/cm3 이상인 것을 특징으로 하고, 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크의 저항 값이 0.003 Ω 이하일 때 준안정층인 상기 벌크 표면에서부터 깊이(Depth) 1,500nm 이상에서의 질소 농도값은 4.0x1019atoms/cm3 이상인 것을 특징으로 하는 저 저항 실리콘 카바이드 벌크를 제조하는 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이

화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크의 저항 값이 0.3 Ω 이하일 때 준안정층인 상기 벌크 표면에서부터 깊이(Depth) 1,500nm 이상에서의 질소 농도값은 4.0x1018 atoms/cm3 이상인 것을 특징으로 하고, 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크의 저항 값이 0.003 Ω 이하일 때 준안정층인 상기 벌크 표면에서부터 깊이(Depth) 1,500nm 이상에서의 질소 농도값은 4.0x1019atoms/cm3 이상인 것을 특징으로 하는 저 저항 실리콘 카바이드 벌크를 제조하는 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크 제조 장치에 있어서,화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크가 제조되는 증착로에 가스를 공급하기 위한 가스 혼합 시스템 라인은 헤더(10)와 분사 라인(20)으로 구성되고,MTS가 저장된 메인 탱크, MTS를 일정량을 공급할 수 있는 기능을 갖는 버퍼 탱크, MTS를 증발기에 공급하는 공급 탱크 및 MTS가 기화되는 증발기를 구비하고,상기 메인 탱크에서 버퍼 탱크(Buffer Tank)로 MTS가 이송되며, 이때 수소(H2) 가스와 질소(N2) 가스도 함께 공급되고,버퍼 탱크(Buffer Tank)에 존재하는 MTS는 공급 탱크(Service Tank)로 이송되고, 이때, 수소(H2) 가스가 함께 공급되고,상기 헤더(10)와 상기 분사 라인(20)은 라인(line) 형상이고, 상기 헤더(10)는 분사 라인(20)을 감싼 외부 관이고, 상기 분사 라인(20)의 바깥쪽과 상기 헤더(10)의 안쪽 사이에 공간이 존재하고,상기 헤더(10) 내부에 존재하는 분사 라인(20) 입구쪽에는 질소가 공급되고, 상기 분사 라인(20) 전체에는 작은 홀이 다수 개 구비되어, 상기 분사 라인(20) 입구쪽에서 공급되는 질소는 상기 작은 홀을 통하여 상기 분사 라인(20)의 바깥쪽과 상기 헤더(10)의 안쪽 사이의 공간으로 나오고,상기 기화된 MTS, 질소 및 수소가 공급되는 공급관이 구비되고, 상기 공급관은 상기 헤더(10)의 앞쪽이면서 상기 분사 라인(20)의 바깥쪽과 상기 헤더(10)의 안쪽 사이의 공간에 연결되고, 상기 공급관(31)은 상기 헤더(10)와 수직 방향으로 연결되고, MTS와 질소와 수소를 증착로에 분사하는 적어도 2 개 이상의 노즐(32)이 더 구비되고, 상기 노즐(32)이 상기 헤더(10)에 연결될 때, 상기 노즐(32)은 분사 라인(20)의 바깥쪽과 상기 헤더(10)의 안쪽 사이의 공간에 연결되고, 상기 노즐(32)과 상기 헤더(10)는 수직 방향으로 연결되는 것을 특징으로 화학기상증착 저 저항 실리콘 카바이드 벌크 제조 장치.